[发明专利]采用光加热的PVD设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体生产设备领域，尤其涉及采用光加热的PVD设备。

背景技术

由于半导体集成制造的过程中需要由多个工艺分步完成，如清洗处理、干燥处理、隔离处理、PVD镀膜等等，且每一工艺步骤均需要在密闭的环境下进行，对此现有技术中通常采用集成密封制造系统，使每一步工艺在同一密闭的环境下进行。在整个半导体集成制造过程中，PVD镀膜是半导体成型的核心步骤。

PVD指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基板表面上的过程。在目前的半导体制造过程中，PVD镀膜技术的基本方法有真空蒸发、真空溅射和真空离子镀膜的方法。真空蒸发是指将膜材置于真空室内的蒸发源中，在高真窒条件下，通过蒸发加热使其蒸发，当蒸汽分子的平均自由程大于真空室的线性尺寸后，蒸汽状态下的原子和分子从蒸发源表面逸出后，很少受到其他分子或原子的冲击与阻碍，可直接到达被镀的基板表面上，由于基板温度较低，便凝结于其上而形成镀膜。

现有技术中，半导体集成制造系统中，当完成一工艺流程后，需将半导体半成品取出，以进行下一步的工艺处理，但其对取出后的空间真空度要求较高，因此造成半导体集成制造设备制造困难，厂房的规模巨大。厂家投资建厂一方面需承担前期大量的资金投入，另一方面通常建设一半导体集成制造系统需要数年的时间，可见目前建设一半导体集成制造系统资金投入量大且时间久，且容易造成厂家资金周转的困难。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术之缺陷，旨在提供采用光加热的PVD设备以实现半导体生产设备中的PVD镀膜设备实现模块化和微型化设计，从而降低PVD镀膜设备的制造成本。

本发明是这样实现的，采用光加热的PVD设备，包括一壳体，所述壳体横向两侧分别设有供放置待镀膜材料的传输带通过的入口和出口，且所述传输带将所述壳体分隔成上腔与下腔，所述壳体内入口和出口处分别设有动态夹持所述传输带并带动其移动的滚筒组，各所述滚筒组包括贴设于传输带上侧的上滚筒和贴设于传输带下侧的下滚筒，所述壳体上还设有驱动所述滚筒组运转的第一伺服电机；所述下腔内设有用于放置靶材的移动靶舟及对所述移动靶舟提供热源的光热装置，所述移动靶舟上端具有一朝向所述传输带的喷气口，所述光热装置设于所述移动靶舟下端。

具体地，所述下腔内设有一转动的丝杆，所述移动靶舟设有与所述丝杆适配的螺纹孔，所述移动靶舟由所述螺纹孔安装于所述丝杆上。

具体地，所述光热装置包括设于所述移动靶舟下端的光腔、设于所述光腔内并聚焦于所述移动靶盘下端的聚焦镜头及柔性的导光管，所述导光管的一端插设于所述光腔内并朝向所述聚焦镜头，另一端与光源设备连接。

具体地，所述光源设备设于所述壳体的外部，所述导光管连接光源设备的一端穿过所述壳体与所述光源设备连接。

具体地，所述壳体上开设有供惰性气体进入的进气口和排出的排气口。

具体地，所述进气口和排气口分别配备有进气控制阀和排气控制阀。

具体地，所述壳体侧壁设有驱动所述丝杆转动的第二伺服电机。

具体地，各所述上滚筒和下滚筒的表面设有弹性层，各所述上滚筒和下滚筒的两端部表面相互弹性按压，各所述上滚筒和下滚筒之间具有供所述传输带通过的间隙，且各所述上滚筒和下滚筒与所述传输带之间相互弹性按压。

具体地，上述PVD设备包括控制系统，还包括控制系统，所述控制系统包括膜厚监控系统、测温装置、监控所述上腔和下腔内压力的压力测控系统、监控所述上腔和下腔内部环境的视频监控装置。

本发明的有益效果：本发明提供的采用光加热的PVD设备通过采用在所述壳体与所述传输带之间设置所述滚筒组，利用所述滚筒组与壳体和所述传输带的密封连接关系，达到所述壳体与所述传输带之间的动态密封设计；同时，在所述下腔内设置移动靶舟，通过移动靶舟在所述下腔体的移动，实现对放置于所述传输带上的待镀膜材料进行镀膜处理。整个PVD设备完成了与传输带之间的动态密封和对放置于传输带上的待镀膜材料的镀膜处理，其结构上更趋于微型化，无论制造成本还是制造工期，都是相对于现有技术有明显的进步。

附图说明

图1是本发明一优选实施例的外部结构示意图；

图2是图1去除壳体一侧壁后的结构示意图；

图3是图1去除壳体后的结构示意图；

图4是移动靶舟与光热装置之间的安装结构示意图；

图5是图4横截面的剖视图。

具体实施方式