[发明专利]一种新型的功率模块无效
| 申请号: | 201210569282.8 | 申请日: | 2012-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN103021977A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
| 发明(设计)人: | 陈思哲;盛况;汪涛;郭清;谢刚 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | H01L23/473 | 分类号: | H01L23/473 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 吴辉辉 |
| 地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 新型 功率 模块 | ||
1.一种新型的功率模块,包括外壳(1)、衬底(2)、基板(3)、芯片(4),衬底(4)连接散热器,芯片(4)与基板(3)固定连接,基板(3)与衬底(4)固定连接,其特征是:所述功率模块内部具有冷却介质流经回路。
2.根据权利要求1所述的一种新型的功率模块,其特征是:冷却介质流经回路包括散热通道(5)、冷却介质入口(6)、冷却介质出口(7),散热通道(5)、冷却介质入口(6)、冷却介质出口(7)设置在衬底(4)内部并与衬底(4)一体成型。
3.根据权利要求2所述的一种新型的功率模块,其特征是:冷却介质入口(6)设置入口阀门(8),冷却介质出口设置出口阀门(9)。
4.根据权利要求2所述的一种新型的功率模块,其特征是:散热通道(5)呈Z形分布在衬底(4)内部。
5.根据权利要求3所述的一种新型的功率模块,其特征是:散热通道(5)呈S形分布在衬底(4)内部。
6.根据权利要求4所述的一种新型的功率模块,其特征是:散热通道(5)呈波浪形分布在衬底(4)内部。
7.根据权利要求1所述的一种新型的功率模块,其特征是:所述功率模块为IGBT功率模块或者MOSFET功率模块。
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