[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器发展越来越迅速，已经成为主流的平板显示器。从出现至今，液晶显示器已经发展出多个种类，其驱动模式和显示效果不尽相同，各有所长。其中，横向电场切换型薄膜晶体管液晶显示器以其特有的结构特点和驱动原理，表现出了优良的显示能力和效果。

现有横向电场切换型薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构中，将公共电极与像素电极设置在同一基板的同一层上，像素电极与薄膜晶体管的漏极过孔连接，加电压时，在公共电极与像素电极之间形成平行于基板的横向电场，从而控制液晶分子在平行于基板的平面内发生偏转。为了存储信号电压，需要在驱动像素电极的漏极与像素电极之间形成一定的存储电容，现有技术中通常通过外加一存储电容线作为形成存储电容的一个电容基板，而将薄膜晶体管的漏极作为另一电容基板，在进行液晶显示时，所述存储电容线与漏极之间形成存储电容，现有的像素结构，在低分辨率情况下存储电容线并不会对开口率造成太大的影响，很好的应用在低分辨率显示的液晶显示装置中。

随着液晶显示分辨率的不断提高，需要更大的开口面积，然而更大的开口面积，需要以减少存储电容线的宽度，降低存储电容为代价，此时则会影响电场的切换，因此现有的薄膜晶体管阵列基板结构，由于存储电容线的存在，导致存储电容随着分辨率提高而明显下降，导致横向电场切换模式，在高分辨率情况下受限。

发明内容

本发明的目的是提供一种薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制作方法，以解决高分辨率情况下存储电容线造成的透过率下降的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明一方面提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括由栅极线和数据线形成的呈阵列排布的像素单元，每个所述像素单元内包括一条与所述栅极线位于不同层的像素电极，且所述像素电极具有一与上一行像素单元的栅极线相交叠的延长部。

本发明另一方面还提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述方法包括：

在基板上形成栅极线、数据线，所述栅极线和数据线形成多个呈阵列排布的像素单元；

在每个所述像素单元内形成一与所述像素单元的栅极线不同层的像素电极，且所述像素电极具有一与上一行像素单元的栅极线相交叠的延长部。

本发明还提供了一种薄膜晶体管液晶显示器，包括上述薄膜晶体管阵列基板。

本发明提供的薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制作方法，通过在每个像素单元内设置一条与栅极线不同层的像素电极，并使所述像素电极的延长部与像素单元阵列中上一行像素单元的栅极线相交叠，进而使得像素电极与栅极线之间形成存储电容，无需单独制作存储电容线，提高开口率，避免高分辨率情况下，存储电容线导致的透过率下降，影响显示效果。

附图说明

图1为本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板局部结构俯视示意图；

图2为本发明实施例中提供的薄膜晶体管阵列基板局部结构又一俯视示意图；

图3为本发明实施例中形成双重存储电容示意图；

图4为本发明实施例提供的底栅型薄膜晶体管阵列基板制作方法流程图；

图5为本发明实施例提供的底栅型薄膜晶体管阵列基板又一制作方法流程图；

图6为本发明实施例提供的顶栅型薄膜晶体管阵列基板制作方法流程图。

具体实施方式

本发明提供的薄膜晶体管阵列基板，在每个像素单元内设置一条与栅极线位于不同层的像素电极，并且所述像素电极具有与上一行像素单元的栅极线相交叠的延长部，从而使像素电极与栅极线之间形成存储电容，无需额外设置存储电容线。

以下将结合附图，对本发明实施例提供的薄膜晶体管阵列基板及其制作方法的具体实施方式进行详细地说明。附图中各区域大小和形状不反映装置的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。