[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括由栅极线和数据线形成的呈阵列排布的像素单元，其特征在于，每个所述像素单元内包括一条与所述栅极线位于不同层的像素电极，且所述像素电极具有一与上一行像素单元的栅极线相交叠的延长部。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素单元内，所述像素电极与与之对应设置的薄膜晶体管的漏极位于同一层。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述漏极具有相同的材料，并为相互连接的一体结构。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极部分位于所述像素单元的显示区域，且所述像素电极位于所述像素单元显示区域的部分沿所述栅极线延伸方向上的宽度，小于所述延长部沿所述栅极线延伸方向上的宽度。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

位于所述数据线上方，与所述栅极线交叠的多条公共电极，所述公共电极与所述数据线、所述像素电极绝缘，且所述公共电极与所述延长部具有交叠部分。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极与所述延长部的交叠部分在垂直基板所在平面方向上的投影面积，大于所述延长部与上一行像素单元的栅极线交叠部分在相同方向上的投影面积。

7.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极位于所述像素单元显示区域的部分，沿所述栅极线延伸方向上的宽度为3~3.5微米。

8.一种薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括在基板上形成栅极线、数据线，所述栅极线和数据线形成多个呈阵列排布的像素单元，其特征在于，所述方法还包括：

在每个所述像素单元内形成一与所述像素单元的栅极线不同层的像素电极，且所述像素电极具有一与上一行像素单元的栅极线相交叠的延长部。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述基板上形成栅极线、数据线的步骤具体包括：

在所述基板上形成栅极金属层，并通过光刻工艺图案化所述栅极金属层，形成所述栅极线和薄膜晶体管的栅极；

在所述栅极上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层，通过光刻工艺形成半导体图案；

在所述半导体图案上沉积数据金属层，并通过光刻工艺图案化所述数据金属层，形成所述数据线以及薄膜晶体管的源极和漏极；

或

在基板上沉积缓冲层和多晶硅层；

在多晶硅层上方，沉积数据金属层，并通过光刻工艺图案化所述数据金属层，形成数据线、薄膜晶体管的源极和漏极；

在所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅极金属层，并通过光刻工艺图案化所述栅极金属层，形成栅极线和薄膜晶体管的栅极。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在每个所述像素单元内形成一与所述像素单元的栅极线不同层的像素电极，具体包括：

在形成所述数据线和薄膜晶体管的源极、漏极的同时，一体形成电连接所述漏极的所述像素电极。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述像素电极部分位于所述像素单元的显示区域，且所述像素电极位于所述像素单元显示区域的部分沿所述栅极线延伸方向上的宽度，小于所述延长部沿所述栅极线延伸方向上的宽度。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述数据线、薄膜晶体管的源极和漏极，以及所述像素电极上方沉积公共电极层，并刻蚀所述公共电极层形成多条与所述延长部交叠的公共电极。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述数据线、所述薄膜晶体管源极和漏极以及所述像素电极上方形成所述公共电极之前，所述方法还包括：

在所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极，以及所述像素电极上形成一透明绝缘层，后续在所述透明绝缘层上形成所述公共电极。