[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201210568716.2 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN103018991A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 徐超;金熙哲 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

为了提高显示装置的显示效果,越来越多的人开始将注意力投向显示装置的窄边框设计,尤其是对于用于大屏幕户外显示的拼接屏,窄边框显示装置可以有效降低拼接屏中拼接缝的宽度,显著提高整体的显示效果。

现有技术对于窄边框显示器的制作通常是将工艺边际量压缩至极限的方法来实现,其中一项非常重要的技术就是阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,简称GOA)的技术量产化的实现。利用GOA技术将栅极开关电路集成在显示面板的阵列基板上以形成对显示面板的扫描驱动,从而可以省掉栅极驱动集成电路部分,其不仅可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本,而且显示面板可以做到两边对称和窄边框的美观设计。现有的显示面板的结构可以如图1所示,其中,GOA电路11对称设置于有效显示区域12的两侧。该GOA电路11的部分显微结构可以如图2a所示,可以清楚地看到,GOA电路11区域内又可以分为TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)区域111、电容区域112以及用于连接显示区域12以输出行驱动信号的引线区域113,该电容区域112的电路结构可以如图2b所示,其中,TFT器件及引线部分111的一端最靠近电容区域112的晶体管T用于输出栅极行驱动信号,以晶体管T所连接的源漏金属层以及栅极层分别作为电容C的两端,图3为图2a的A-A向剖视图,可以看到,引线区域113具有栅极层31、栅绝缘层32、树脂层33以及钝化层34,位于电容区域112的源漏金属层32以及栅极层31之间形成电容。该电容C的作用是去除GOA电路的噪声,保证GOA电路的稳定。但其不足之处在于,为了达到电容的设计规格,电容部分112的长度通常需要制作的较大(如图2所示),从而限制了GOA电路的尺寸,使得显示装置的边框难以进一步变窄。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置,可以减小GOA电路中电容部分的长度,从而进一步降低显示装置边框的宽度。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

本发明实施例的一方面,提供一种阵列基板,包括:GOA电路区域,显示区域设置有交叉设置的数据线和栅线,所述GOA电路区域包括用于输出栅极行驱动信号的薄膜晶体管TFT区域和与所述TFT相连的引线区域。

所述GOA电路区域分别设置有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔,所述第一过孔的底部为所述数据线金属层,所述第二过孔的底部为所述栅线金属层;

在所述GOA电路区域的TFT区域,所述数据线金属层与第一电极、所述栅线金属层与第二电极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接,以使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电容。

本发明实施例的另一方面,提供一种显示装置,所述显示装置包括如上所述的阵列基板。

本发明实施例的另一方面,提供一种阵列基板制造方法,所述阵列基板包括GOA电路区域,显示区域设置有交叉设置的数据线和栅线,所述GOA电路区域包括用于输出栅极行驱动信号的薄膜晶体管TFT区域和与所述TFT相连的引线区域,还包括:

在形成有所述TFT区域的基板上形成具有第一过孔的树脂层,所述第一过孔贯穿所述树脂层以露出所述TFT区域的所述数据线金属层;

在所述树脂层的表面形成第一电极,所述第一电极通过所述第一过孔与所述数据线金属层电连接;

在形成有所述第一电极的基板上形成具有第二过孔的钝化层,所述第二过孔分别贯穿所述钝化层、所述树脂层和所述栅绝缘层以露出所述TFT区域的所述栅线金属层;

在所述钝化层的表面形成第二电极,所述第二电极通过所述第二过孔与所述栅线金属层电连接,以使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电容。

本发明实施例的又一方面,还提供一种阵列基板制造方法,所述阵列基板包括GOA电路区域,显示区域设置有交叉设置的数据线和栅线,所述GOA电路区域包括用于输出栅极行驱动信号的薄膜晶体管TFT区域和与所述TFT相连的引线区域,其特征在于,还包括:

在形成有所述TFT区域的基板上形成具有第二过孔的树脂层,所述第二过孔分别贯穿所述树脂层和所述栅绝缘层以露出所述TFT区域的栅线金属层;

在所述树脂层的表面形成第一电极,所述第一电极通过所述第二过孔与所述栅线金属层电连接;

在形成有所述第一电极的基板上形成具有第一过孔的钝化层,所述第一过孔分别贯穿所述钝化层和所述树脂层以露出所述TFT区域的数据线金属层;

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