[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：GOA电路区域，显示区域设置有交叉设置的数据线和栅线，所述GOA电路区域包括用于输出栅极行驱动信号的薄膜晶体管TFT区域和与所述TFT相连的引线区域，其特征在于，

所述GOA电路区域分别设置有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔，所述第一过孔的底部为所述数据线金属层，所述第二过孔的底部为所述栅线金属层；

在所述GOA电路区域的TFT区域，所述数据线金属层与第一电极、所述栅线金属层与第二电极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接，以使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电容。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域还设置有第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极与所述第一电极利用同层同构图工艺形成，所述第二透明电极与所述第二电极利用同层同构图工艺形成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述引线区域还包括：

与所述GOA电路区域的TFT区域的第一电极一体形成的第三电极、与所述GOA电路区域的TFT区域的第二电极一体形成的第四电极，所述第三电极和所述第四电极之间形成电容。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT区域还包括：

位于所述TFT区域的栅线金属层与所述数据线金属层之间的栅绝缘层和半导体有源层；

位于所述数据线金属层与所述第一电极之间的树脂层；

位于所述第一电极与所述第二电极之间的钝化层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一电极通过所述第一过孔与所述数据线金属层电连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述栅线金属层电连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一过孔贯穿所述树脂层以露出所述数据线金属层，所述第二过孔分别贯穿所述钝化层、所述树脂层和所述栅绝缘层以露出所述栅线金属层。

7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一电极通过所述第二过孔与所述栅线金属层电连接，所述第二电极通过所述第一过孔与所述数据线金属层电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一过孔分别贯穿所述钝化层和所述树脂层以露出所述数据线金属层，所述第二过孔分别贯穿所述树脂层和所述栅绝缘层以露出所述栅线金属层。

9.根据权利要求1至8任一所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一电极连接像素电极，所述第二电极连接公共电极；或，

所述第一电极连接公共电极，所述第二电极连接像素电极。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至9任一所述的阵列基板。

11.一种阵列基板制造方法，所述阵列基板包括GOA电路区域，显示区域设置有交叉设置的数据线和栅线，所述GOA电路区域包括用于输出栅极行驱动信号的薄膜晶体管TFT区域和与所述TFT相连的引线区域，其特征在于，还包括：

在形成有所述TFT区域的基板上形成具有第一过孔的树脂层，所述第一过孔贯穿所述树脂层以露出所述TFT区域的所述数据线金属层；

在所述树脂层的表面形成第一电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述数据线金属层电连接；

在形成有所述第一电极的基板上形成具有第二过孔的钝化层，所述第二过孔分别贯穿所述钝化层、所述树脂层和所述栅绝缘层以露出所述TFT区域的所述栅线金属层；

在所述钝化层的表面形成第二电极，所述第二电极通过所述第二过孔与所述栅线金属层电连接，以使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电容。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述显示区域还设置有第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极与所述第一电极利用同层同构图工艺形成，所述第二透明电极与所述第二电极利用同层同构图工艺形成。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述引线区域还包括：

与所述GOA电路区域的TFT区域的第一电极一体形成的第三电极、与所述GOA电路区域的TFT区域的第二电极一体形成的第四电极，所述第三电极和所述第四电极之间形成电容。