[发明专利]一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片有效
| 申请号: | 201210567772.4 | 申请日: | 2012-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN103076050A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
| 发明(设计)人: | 赵玉龙;陈佩;李一瑶 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | G01F1/56 | 分类号: | G01F1/56 |
| 代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
| 地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 梁膜单梁 结构 流量传感器 芯片 | ||
1.一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,包括外围支撑硅基(3),其特征在于:在外围支撑硅基(3)的背面配置有玻璃衬底(4),外围支撑硅基(3)的背面与玻璃衬底(4)进行键合连接,中央硅膜(1)位于外围支撑硅基(3)的中间,中央硅膜(1)的一边和外围支撑硅基(3)之间通过一硅悬臂梁(2)相连,硅悬臂梁(2)上的中间配置有四个压阻条(5),四个压阻条(5)连接构成惠斯通电桥,中央硅膜(1)与硅悬臂梁(2)组成的梁膜结构构成传感器测量部位;
所述的中央硅膜(1)与外围支撑硅基(3)之间存在150-170m的间隙以使中央质硅膜(1)悬空,中央硅膜(1)的厚度与硅悬臂梁(2)的厚度相同;
所述的中央硅膜(1)、硅悬臂梁(2)和外围支撑硅基(3)三部分的中轴线重合。
2.根据权利要求1所述的一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,其特征在于:所述的硅悬臂梁(2)采用了(100)晶面硅。
3.根据权利要求1所述的一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,其特征在于:所述的四个压阻条(5)沿着[110]和[110]晶向布置。
4.根据权利要求1所述的一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,其特征在于:本发明采用250um(100晶面)N型双面抛光硅片制作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210567772.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





