[发明专利]一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片有效

专利信息
申请号: 201210567772.4 申请日: 2012-12-24
公开(公告)号: CN103076050A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 赵玉龙;陈佩;李一瑶 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01F1/56 分类号: G01F1/56
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 梁膜单梁 结构 流量传感器 芯片
【权利要求书】:

1.一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,包括外围支撑硅基(3),其特征在于:在外围支撑硅基(3)的背面配置有玻璃衬底(4),外围支撑硅基(3)的背面与玻璃衬底(4)进行键合连接,中央硅膜(1)位于外围支撑硅基(3)的中间,中央硅膜(1)的一边和外围支撑硅基(3)之间通过一硅悬臂梁(2)相连,硅悬臂梁(2)上的中间配置有四个压阻条(5),四个压阻条(5)连接构成惠斯通电桥,中央硅膜(1)与硅悬臂梁(2)组成的梁膜结构构成传感器测量部位;

所述的中央硅膜(1)与外围支撑硅基(3)之间存在150-170m的间隙以使中央质硅膜(1)悬空,中央硅膜(1)的厚度与硅悬臂梁(2)的厚度相同;

所述的中央硅膜(1)、硅悬臂梁(2)和外围支撑硅基(3)三部分的中轴线重合。

2.根据权利要求1所述的一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,其特征在于:所述的硅悬臂梁(2)采用了(100)晶面硅。

3.根据权利要求1所述的一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,其特征在于:所述的四个压阻条(5)沿着[110]和[110]晶向布置。

4.根据权利要求1所述的一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,其特征在于:本发明采用250um(100晶面)N型双面抛光硅片制作。

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