[发明专利]CMOS图像传感器的形成方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括外围电路区域及像素区域；

在所述半导体衬底上形成第一图形化光刻胶层，以所述第一图形化光刻胶层为掩模对半导体衬底进行刻蚀，以形成第一浅沟槽，所述第一浅沟槽设置在所述半导体衬底外围电路区域与像素区域之间；

去除残余的第一图形化光刻胶层之后，在所述半导体衬底上形成第二图形化光刻胶层，所述第一浅沟槽被所述第二图形化光刻胶层覆盖住，以所述第二图形化光刻胶层为掩模对半导体衬底进行刻蚀，以形成设置在半导体衬底像素区域的第二浅沟槽；

以所述第二图形化光刻胶层为掩模，在所述第二浅沟槽的表面形成第一掺杂区；

去除残余的第二图形化光刻胶层之后，向所述第一浅沟槽及第二浅沟槽内填充绝缘层，以形成第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构；

在所述半导体衬底像素区域形成光电转换元件。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成第一图形化光刻胶层之前，在半导体衬底上形成氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，形成第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构的步骤与在所述半导体衬底像素区域形成光电转换元件的步骤之间还包括步骤：

在所述半导体衬底、第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构上形成第三图形化光刻胶层；

以所述第三图形化光刻胶层为掩模进行离子注入，以在所述第二浅沟槽隔离结构下方形成用以隔离相邻两个像素中光电转换元件的第二掺杂区。

4.根据权利要求1或2所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述第二浅沟槽的表面形成第一掺杂区的步骤与去除残余的第二图形化光刻胶层的步骤之间还包括步骤：

以所述第二图形化光刻胶层为掩模进行离子注入，以在所述第二浅沟槽下方形成用以隔离相邻两个像素中光电转换元件的第二掺杂区。

5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二图形化光刻胶层的厚度为

6.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述第二浅沟槽下方形成所述第二掺杂区的工艺参数包括：离子注入能量为200Kev-300Kev，离子注入剂量为1.0*10¹²/cm³-2.0*10¹²/cm³，注入离子为B。

7.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区、第二掺杂区及所述半导体衬底的掺杂类型相同。

8.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述第二浅沟槽的表面形成第一掺杂区的工艺参数包括：离子注入能量为20Kev-30Kev，离子注入剂量为3.5*10¹³/cm³-5*10¹³/cm³，注入离子为B。

9.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底上形成有外延层。