[发明专利]光源装置有效
申请号: | 201210567628.0 | 申请日: | 2012-12-24 |
公开(公告)号: | CN103187683B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 笹室岳;松尾英典 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022;H01S5/024;H01S5/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 装置 | ||
技术领域
本发明涉及光源装置,特别是涉及使用了多个半导体激光器装置的光源装置。
背景技术
历来,提出有使用了多个半导体激光器装置的光源装置(参照专利文献1)。
【先行技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】特开2005-203663号公报
但是,在上述现有的光源装置中,热散逸差,半导体激光器装置的温度随着使用时间的流逝而上升,光输出功率大幅下降这样的问题存在。
发明内容
因此,本发明其目的在于,提供一种使用了多个半导体激光器装置的热散逸良好的光源装置。
根据本发明,上述课题通过以下手段解决。
本发明是使用了多个半导体激光器装置的光源装置,其特征在于,具备配置有所述多个半导体激光器装置的保持构件,所述多个半导体激光器装置之中的至少一个半导体激光器装置,按照与在正视所述保持构件时相邻的半导体激光器装置在光轴方向上的相对位置、比与与所述相邻的半导体激光器装置在垂直于所述光轴方向的方向上的相对位置大的方式,被配置在所述保持构件上。
另外,本发明根据上述的光源装置,其特征在于,所述半导体激光器装置是准直透镜一体型。
另外,本发明根据上述的光源装置,其特征在于,在所述保持构件的前面和后面分别设有凹部,所述多个半导体激光器装置被分别配置于所述凹部。
另外,本发明根据上述的光源装置,其特征在于,所述凹部的至少一个,其内径依据半导体激光器装置的外径而形成。
另外,本发明根据上述的光源装置,其特征在于,所述凹部的至少一个,其深度依据半导体激光器装置的厚度而形成。
另外,本发明根据上述的光源装置,其特征在于,在所述保持构件的前面和后面的至少一方安装有散热构件。
另外,本发明根据上述的光源装置,其特征在于,所述半导体激光器装置具有芯柱,所述散热构件与所述半导体激光器装置的芯柱抵接。
另外,本发明根据上述的光源装置,其特征在于,所述半导体激光器装置,通过由所述散热构件压住所述芯柱,被保持在所述保持构件上。
根据本发明,能够提供一种使用了多个半导体激光器装置的且热散逸良好的光源装置。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的光源装置的概略正面立体图。
图2是本发明的第一实施方式的光源装置的概略剖面立体图(图1中的A-A剖面)。
图3是本发明的第一实施方式的光源装置的概略剖面图(图1中的A-A剖面)。
图4是说明两个半导体激光器装置的相对位置的概略图。
图5是表示本发明的第二实施方式的光源装置的外观的概略立体图。
图6是表示本发明的第二实施方式的光源装置的构成的概略立体图。
图7是表示本发明的第二实施方式的半导体激光器装置的概略顶视图(a)、和表示其B-B剖面的概略剖面图(b)。
图8是放大表示本发明的第二实施方式的光源装置的一部分的构造的概略顶视图(a)、和表示其C-C剖面的概略剖面图(b)。
图9是表示本发明的第三实施方式的光源装置的外观的概略立体图 (a)、和表示其构成的概略立体图(b)。
【符号说明】
1011…光源装置,1013…半导体激光器装置,1131…半导体激光器装置,1132…半导体激光器装置,1015…保持构件,1017…芯柱,1019…半导体激光器元件,1021…封盖,1023…引脚,1025…准直透镜,1027…凹部,1029…贯通孔,1031…散热构件,1033…贯通孔,1035…槽,1037…软电缆,2010、2011、2012、2013...半导体激光器装置(2010...第一半导体激光器装置,2011...第二半导体激光器装置,2012…第三半导体激光器装置,2013…第四半导体激光器装置,2015…半导体激光器元件,2020…芯柱(2021…元件装配部,2022…端子,2023…基部(2024…上面,2025…下面,2026…侧面),2027…光学零件,2028…封盖),2030、2031…保持构件(2030…第一保持构件,2031…第二保持构件,2033…窗孔部(2037…宽度狭窄部),2035…凹部),2040…粘接构件,2050、2051…散热构件(2050…第一散热构件,2051…第二散热构件(2053…窗孔部)),2100、2150…光源装置
具体实施方式
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