[发明专利]引线框架及其生产方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子封装制造领域，尤其涉及封装芯片所用的引线框架，特别是主要应用于SOT(小外型晶体管)系列引线框架。

背景技术

随着终端电子产品向轻型化和多功能化方向发展，因此要求对起着承载芯片、传递芯片产生的热量和电信号的引线框架有高的导电和导热性能。原有引线框架，特别是微小型SOT系列引线框架所用的材质是FeNi42合金，FeNi42合金的导电系数为2.7%IACS，热导率为10W/M.K，已经不能很好地满足终端电子产品对导电性能和导热性能的要求。另有一种Cu-Fe-P系合金产品（C19400,C19210）的抗拉强度为420～500MPa，达不到高档次引线框架的技术要求，或者部分合金材料冲压引线框架时，由于材料的机械性能(抗拉强度和延伸率及硬度)较低，存在在冲压过程中断裂和变形的风险。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种新的高导电和高导热性能的Cu-Ni₂-Si铜合金材料引线框架来代替现有的FeNi42合金材料的引线框架，从而实现更好的性能。

一种引线框架的生产方法，包括：A）冲压、B）电镀和C）成型步骤；其中，

A）冲压步骤：

取铜合金片材，通过高速冲床，借助冲裁模具的凸、凹模进行冲压，形成引线框架半成品，该铜合金片材的化学成分及其质量比例份数分别是：1.8～2.1%的镍，0.4～0.68%的硅，0～0.2%的铁，0～0.1%的锰，0～0.2%的锌，0～0.005%的镉，0～0.02%的铅，其中铁、锰、锌、镉和铅均为杂质成分，以及0～0.3%的其余杂质，余量为铜；该铜合金片材的抗拉强度Rm为≥600MPa，断后延伸率A11.3≥8%，维氏硬度HV≥180（维氏硬度值，无单位），导电率≥46%IACS，热导率≥190w/m.k.；

B）电镀步骤:

将上述的引线框架半成品依次序如下处理：前处理、预镀银、镀银、退银、后处理、烘干；

C）成型步骤：

将上述电镀后的引线框架半成品进行切片成型。

进一步的，所述A）冲压步骤中，设定冲裁模具的凸、凹模的间隙大小为铜合金片材的厚度的8～10%。

进一步的，所述B）电镀步骤中，在预镀银处理前还进行镀铜处理。

一种经上述生产方法所生产的引线框架，该引线框架主体为一种铜合金，该铜合金的化学成分及其质量比例份数分别是：1.8～2.1%的镍，0.4～0.68%的硅，0～0.2%的铁，0～0.1%的锰，0～0.2%的锌，0～0.005%的镉，0～0.02%的铅，其中铁、锰、锌、镉和铅均为杂质成分，以及0～0.3%的其余杂质，余量为铜；该引线框架至少具有表层镀银层；该引线框架的抗拉强度Rm为≥600MPa，断后延伸率A11.3≥8%，维氏硬度HV≥180，导电率≥46%IACS，热导率≥190w/m.k.。

进一步的，该引线框架表层先镀铜层后再镀银层。

本发明的引线框架具有更良好的机械特性（抗拉强度Rm为≥600MPa，断后延伸率A11.3≥8%，维氏硬度HV≥180）和电热学特性（导电率≥46%IACS，热导率≥190w/m.k.），在生产时不易变形和断裂，同时也更加适用于SOT(小外型晶体管)系列封装应用。另外，该Cu-Ni₂-Si合金的成本(包括加工费)也低于FeNi42合金（Cu-Ni₂-Si合金原料约8.5万/吨，FeNi42合金原料约12万/吨，便宜40%；因而生产该引线框架的成本更低，大大提升产品的市场竞争力。

具体实施方式

现结合具体实施方式对本发明进一步说明。

一种实施例的引线框架的生产方法，包括：A）冲压、B）电镀和C）成型步骤；其中，

A）冲压步骤：