[发明专利]引线框架及其生产方法有效
| 申请号: | 201210564926.4 | 申请日: | 2012-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN102983083A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
| 发明(设计)人: | 汪洋;林桂贤;丘文雄;彭淑合;丛艳丽;林阮彬 | 申请(专利权)人: | 厦门永红科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司: | 厦门市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人: | 赖开慧 |
| 地址: | 361000 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 引线 框架 及其 生产 方法 | ||
1.一种引线框架的生产方法,包括:A)冲压、B)电镀和C)成型步骤;其中,
A)冲压步骤:
取铜合金片材,通过高速冲床,借助冲裁模具的凸、凹模进行冲压,形成引线框架半成品,该铜合金片材的化学成分及其质量比例份数分别是:1.8~2.1%的镍,0.4~0.68%的硅,0~0.2%的铁,0~0.1%的锰,0~0.2%的锌,0~0.005%的镉,0~0.02%的铅,其中铁、锰、锌、镉和铅均为杂质成分,以及0~0.3%的其余杂质,余量为铜;该铜合金片材的抗拉强度Rm为≥600MPa,断后延伸率A11.3≥8%,维氏硬度HV≥180,导电率≥46%IACS,热导率≥190w/m.k.;
B)电镀步骤:
将上述的引线框架半成品依次序如下处理:前处理、预镀银、镀银、退银、后处理、烘干;
C)成型步骤:
将上述电镀后的引线框架半成品进行切片成型。
2.根据权利要求1所述的引线框架的生产方法,其特征在于:所述A)冲压步骤中,设定冲裁模具的凸、凹模的间隙大小为铜合金片材的厚度的8~10%。
3.根据权利要求1所述的引线框架的生产方法,其特征在于:所述B)电镀步骤中,在预镀银处理前还进行镀铜处理。
4.一种经上述权利要求1~3的生产方法所生产的引线框架,其特征在于:该引线框架主体为一种铜合金,该铜合金的化学成分及其质量比例份数分别是:1.8~2.1%的镍,0.4~0.68%的硅,0~0.2%的铁,0~0.1%的锰,0~0.2%的锌,0~0.005%的镉,0~0.02%的铅,其中铁、锰、锌、镉和铅均为杂质成分,以及0~0.3%的其余杂质,余量为铜;该引线框架至少具有表层镀银层;该引线框架的抗拉强度Rm≥600MPa,断后延伸率A11.3≥8%,维氏硬度HV≥180,导电率≥46%IACS,热导率≥190w/m.k.。
5.根据权利要求4所述的引线框架,其特征在于:该引线框架表层先镀铜层后再镀银层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





