[发明专利]存储器的出错信息记录方法及冗余替代方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储器的出错信息记录方法及冗余替代方法。

背景技术

随着存储器，例如闪存（Flash）的集成度不断提高，存储容量不断加大，在半导体工艺中，不可避免出现某一存储单元，例如某一晶体管存在缺陷。针对上述问题，为提高芯片成品率，目前行业内普遍采用冗余技术加以解决。所谓冗余技术，是指在半导体上另开辟一些区域，该区域具有一些备用的存储单元，利用该备用存储单元替换有缺陷的存储单元，上述备用存储单元也称冗余单元。

在冗余技术中，必不可少的一个环节是记录缺陷单元。现有技术中，该过程为：首先对存储器的每一存储单元进行性能测试，并保存每一存储单元的测试结果。

更多关于冗余技术的信息请参照公开号为“CN 102157206 A”的中国专利申请文件。

然而，上述方法存在一些问题，其中一个问题为：造成记录上述测试结果的错误信息记录单元（Error Capture Record）的存储容量需要较大，对于存储容量不足的情况会出现溢出现象，即有些存储单元的测试结果未得到保存。这不利于存储器的可靠性。

针对上述问题，本发明提出一种新的存储器的出错信息记录方法及冗余替代方法加以解决。

发明内容

本发明解决的问题是提出一种新的存储器的出错信息记录方法及冗余替代方法，以解决现有的记录存储器测试结果的单元出现溢出问题，提高存储器的可靠性。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器的出错信息记录方法，包括：

对存储器划分区域，每个所述区域的子单元数目与冗余单元的子单元数目相等；

对每个区域的所有子单元进行性能测试，若该区域所有子单元性能全部合格，则在出错信息记录单元中存入合格，若该区域有子单元性能不合格，则在出错信息记录单元中存入不合格。

可选地，所述冗余单元为扇区，所述子单元为字节或位。

可选地，所述冗余单元为一个扇区或几个扇区。

可选地，所述冗余单元为行或列，所述子单元为字节或位。

可选地，所述冗余单元为一行或几行。

可选地，所述冗余单元为一列或几列。

可选地，所述出错信息记录单元为出错信息寄存器。

可选地，所述性能测试包括可靠性测试。

可选地，所述合格采用1记录，所述不合格采用0记录。

此外，本发明还提供了一种存储器的冗余替代方法，包括：

对存储器进行测试，采用上述任一方法进行出错信息记录；

采用冗余单元代替不合格的区域。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：1）不同于现有技术的对存储器每一存储单元都进行测试结果记录的方案，本发明采用对存储器进行区域划分，且每个区域的子单元数目与冗余单元的子单元数目相等，对每个区域的所有子单元进行性能测试，若该区域所有子单元性能全部合格，则在出错信息记录单元中存入合格，若该区域只要有一个子单元性能不合格，则在出错信息记录单元中存入不合格，换言之，采用冗余单元为单位对测试结果进行记录，利用了冗余技术中采用冗余单元对存储器的包含该缺陷单元的多个单元整体进行替换的特点，降低了测试结果的数据量，避免了存储容量不足出现的溢出问题，提高了存储器的可靠性，同时本发明的技术方案可以测试大容量的存储器。

2）可选方案中，该冗余单元为扇区，其子单元为字节或位，该位对应一个存储单元（例如晶体管）；该字节对应8个存储单元，一般为存储器某行的8列晶体管。冗余技术对扇区的替换为成熟技术，如此，提高了本方案与现有方案的兼容性。

3）可选方案中，在2）可选方案基础上，该冗余单元为一个或几个扇区，针对一个扇区的冗余单元，若该一个扇区内所有子单元性能全部合格，则在出错信息记录单元中存入合格，若一个扇区内只要有一个子单元性能不合格，则在出错信息记录单元中存入不合格。针对几个扇区的冗余单元，若该几个扇区所有子单元性能全部合格，则在出错信息记录单元中存入合格，若该几个扇区只要有一个子单元性能不合格，则在出错信息记录单元中存入不合格。相对于以一个扇区为单位记录的方案，对几个扇区为单位记录测试结果能更进一步降低测试结果的数据量，同时也使得固定容量的记录单元能测试更大容量的存储器。