[发明专利]低功耗芯片的性能测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种低功耗芯片的性能测试方法。

背景技术

芯片，例如闪存（Flash）在制作完成后要对各个存储器单元进行各项性能测试，以判断每个单元性能是否合格，做出故障单元列表。在该性能测试过程中，需对芯片在多个电源电压下的工作状况进行测试，现有的芯片性能测试中的电源电压采用电源供电模块（Device Power Supply，DPS）供电，该电源供电模块受控于测试机。

更多关于供电模块的信息请参照申请公布号CN 102360064A的中国专利申请。

然而，该电源供电模块对于设定的电源电压，如图1所示，上升沿时间t较长，一般为几十微秒至几百微秒数量级，而一个芯片需在多个电源电压下进行工作状况测试，多个上升沿时间累积后造成上述芯片性能测试速率较慢。

针对上述问题，本发明提出一种低功耗芯片的性能测试方法加以解决。

发明内容

本发明解决的问题是提出一种低功耗芯片的性能测试方法，以解决现有的电源供给方式造成的芯片性能测试速率较慢的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种低功耗芯片的性能测试方法，采用高低电平的供电方式对所述芯片进行电源供给。

可选地，所述低功耗芯片的工作电流小于10mA。

可选地，所述高低电平来自PE卡。

可选地，所述PE卡受控于测试机。

可选地，所述测试机向所述低功耗芯片提供高频测试信号。

可选地，性能测试过程中，对所述芯片施加多次不同的高电平。

可选地，性能测试过程中，对所述芯片施加电平逐渐变高的高电平。

可选地，性能测试过程中，每相邻两次高电平的差值相等。

可选地，性能测试过程中，随着高电平的电平变高，相邻两次高电平的差值逐渐减小。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：1）不同于现有技术的采用电源供电模块对芯片提供不同电源电压进行性能测试的方案，本发明采用高低电平的供电方式，该高低电平中的高电平上升沿时间较短，一般为几纳秒至几十纳秒，由此，可以提高测试速率，针对该高低电平的供电方式一般所提供工作电流较小的特点，本发明的技术方案针对低功耗芯片的性能测试。

2）可选方案中，低功耗芯片是指工作电流小于10mA的芯片，上述芯片所需功耗与现有的高低电平的供电方式所提供工作电流相符，因而，本方案与现有技术兼容性好。

3）可选方案中，上述高低电平来自PE卡（Pin Electronics Card），PE卡受控于测试机，换言之，用户通过对测试机控制，使其产生并对PE卡施加控制信号，进而使得PE卡输出用户设定的高低电平。

4）可选方案中，性能测试过程中，对所述芯片施加多次不同的高电平，即对芯片在不同工作电压下的性能进行测试，多次电源电压测试累积起来，相对于现有技术的多次较长上升沿时间累积起来的方案，可以大幅提高测试速率。

5）可选方案中，对所述芯片施加电平逐渐变高或变低的高电平，防止某个工作电压下，性能不符合要求的情况被遗漏，换言之，可以对芯片某个性能进行全面测试。

6）可选方案中，在5）可选方案的基础上，逐渐变高或变低的高电平中，相邻两次高电平的差值相等或按某一规律逐渐变化，更进一步对芯片某个性能进行全面测试。

7）可选方案中，在6）可选方案的基础上，其中的某一规律逐渐变化中的一种方案为相对于电压较低的高电平，在电压较高的高电平处的测试次数变多，即随着高电平的电平变高，相邻两次高电平的差值逐渐减小，如此，提高了性能不合格芯片的检出率。

附图说明

图1为现有技术的DPS的电源电压-时间关系图；

图2为本发明实施例提供的低功耗芯片的性能测试采用的装置的结构示意图；

图3为发明实施例采用的高低电平供电方式的电源电压-时间关系图；

图4为发明实施例采用的高电平的一种施加方式示意图；

图5为发明实施例采用的高电平的另一种施加方式示意图。

具体实施方式

如前所述，现有技术中，采用电源供电模块对芯片提供不同电源电压进行性能测试，该电源供电模块的上升沿时间较长，一般为几十至几百微秒，因而，造成芯片性能测试速率较慢。针对上述问题，本发明采用高低电平的供电方式，该高低电平中的高电平上升沿时间较短，一般为几纳秒至几十纳秒，由此，可以提高测试速率，针对该高低电平的供电方式一般所提供工作电流较小的特点，本发明的技术方案针对低功耗芯片的性能测试。