[发明专利]低功耗芯片的性能测试方法在审
| 申请号： | 201210564167.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103064005A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功耗 芯片 性能 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低功耗芯片的性能测试方法，其特征在于，
采用高低电平的供电方式对所述芯片进行电源供给。
2.根据权利要求1所述的性能测试方法，其特征在于，所述低功耗芯片的工作电流小于10mA。
3.根据权利要求1或2所述的性能测试方法，其特征在于，所述高低电平来自PE卡。
4.根据权利要求3所述的性能测试方法，其特征在于，所述PE卡受控于测试机。
5.根据权利要求4所述的性能测试方法，其特征在于，所述测试机向所述低功耗芯片提供高频测试信号。
6.根据权利要求1所述的性能测试方法，其特征在于，性能测试过程中，对所述芯片施加多次不同的高电平。
7.根据权利要求1所述的性能测试方法，其特征在于，性能测试过程中，对所述芯片施加电平逐渐变高或变低的高电平。
8.根据权利要求7所述的性能测试方法，其特征在于，性能测试过程中，每相邻两次高电平的差值相等。
9.根据权利要求7所述的性能测试方法，其特征在于，性能测试过程中，随着高电平的电平变高，相邻两次高电平的差值逐渐减小。
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