[发明专利]一种热铟封封接装置

说明书

技术领域

本发明涉及像增强器、光电探测器、大面积光电倍增管、摄像管、变相管等真空型光电器件制作领域，尤其涉及一种热铟封封接装置。

背景技术

从转移光电阴极方法出现以来，光电阴极的封接都是采用冷压铟封技术来实现的。这种方法结构复杂，设备造价高，对被封接的组件配合尺寸公差要求精度高。近年来，发展了一种新的封接方法-热铟封技术，它可实现各种材料的匹配与非匹配封接。热铟封技术可以成功地应用于像增强器外，也可用于各种光电探测器、摄像管，变相管等光电器件的阴极封接。现有的热铟封技术，组件封接时只要焊料保持在熔化状态，就可依靠上封接件自身的重量，将焊料填满焊缝，从而使焊料与封接面形成良好的润湿来达到密封的目的。封接件的高度主要靠波纹管的伸缩调节，无旋转装置，采用普通热铟封技术的制作方法成品率为6O～80％。

发明内容

为解决现有热铟封装置在封接时由于铟表面氧化、不平整及气泡引起封接漏气导致的制管成品率低的技术问题，本发明提供一种热铟封封接装置。

本发明的技术解决方案是：

一种热铟封封接装置，包括铟封室，所述铟封室内为真空状态，所述铟封室内的上方设置有上封接件放置装置，下方设置有载物平台，所述上封接件放置装置用于放置上封接件，所述载物平台(3)用于放置下封接件，

其特殊之处在于：还包括载物平台的升降调节组件，所述升降调节组件包括安装法兰、升降法兰盘、从动升降机构及至少两个对称设置在从动升降机构周围的主动升降机构，

所述安装法兰与铟封室底部的铟封室法兰固定连接，所述升降法兰盘位于安装法兰下方且与安装法兰平行，

所述主动升降机构包括轴承定位块、升降螺杆、螺杆导向套、手轮、轴承，所述轴承定位块与安装法兰下底面固定连接，所述螺杆导向套与升降法兰盘连接，所述升降螺杆的下端与升降手轮固定连接，所述升降螺杆的上端穿过螺杆导向套伸入升降轴承定位块，所述升降螺杆与螺杆导向套螺纹连接，所述轴承设置在升降螺杆的上端部与轴承定位块之间，

所述从动升降机构包括波纹管、磁力转动杆、限位管、磁力转动部件，所述波纹管密封连接在安装法兰和升降法兰盘之间，所述限位管的上端与升降法兰盘固定连接，所述限位管的下端设置有密封堵头，所述磁力转动杆的下端抵在密封堵头上，其上部依次穿过限位管、升降法兰盘、波纹管、安装法兰后与载物平台固定连接；所述磁力转动部件包括套装在限位管外的磁力转动手柄、位于限位管内且均匀设置在磁力转动杆上与磁力转动杆连为一体的多个转动块，所述相邻两个转动块之间放置有磁铁，所述磁力转动手柄由磁铁块和金属块间隔组成。

还包括至少一个导向机构，所述导向机构包括导向套及导向杆，所述导向套与升降法兰盘固定连接，所述导向杆的上端与安装法兰固定连接，其下端放置于导向套内且与导向套滑动配合。

还包括安装于磁力转动杆上的上轴承、下轴承及轴承定位环，所述上轴承及下轴承分别位于磁力转动块上下两侧，所述轴承定位环位于上轴承和限位管上端面之间。

上述主动升降机构和导向机构间隔设置。

本发明的有益效果：

1、本发明在热铟封封接装置上设置了升降调节组件，通过升降调节组件使上封接件的封接面与下封接件的铟封槽完全接触，在一定程度上破坏了铟锡合金表面的氧化层，克服了铟表面氧化、不平整及气泡引起的封接漏气，提高了成品率。

2、本发明在热铟封封接装置从动升降机构的基础上，巧妙的加入了磁力转动部件，通过调整磁力转动手柄，使下封接件旋转，由于上封接件固定不动而下封接件相对于上封接件做相对运动，进一步破坏了铟锡合金表面的氧化层,上封接件的封接面与氧化层下面新鲜的铟锡层进行充分接触和浸润，可以使成品率提高到95％以上。

附图说明

图1为本发明的的结构示意图；

图2为本发明封接装置的整体内部结构简图；

图3为主动升降机构结构示意图；

图4为导向机构结构示意图；

图5为旋转机构结构示意图；

图6为本发明磁力转动杆的结构示意图；

图7为本发明磁力转动杆与转动块及磁铁的配合图；