[发明专利]发光芯片组合及其制造方法在审
| 申请号： | 201210561891.9 | 申请日： | 2012-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103887295A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 芯片 组合 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光芯片组合，包括基座及芯片，芯片包括基板、位于基板上的第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层，其特征在于：芯片的基板朝向基座的表面形成第一定位结构，基座朝向基板的表面形成第二定位结构，第一定位结构与第二定位结构配合而将芯片定位在基座上。
2.如权利要求1所述的发光芯片组合，其特征在于：第一定位结构包括朝向基座表面的凸起，第二定位结构包括收容凸起的凹槽。
3.如权利要求1所述的发光芯片组合，其特征在于：第一半导体层为P型半导体层，第二半导体层为N型半导体层，基板直接与第一半导体层连接。
4.一种发光芯片组合的制造方法，包括步骤：
提供芯片及基座，芯片包括暂时基板及依次形成于暂时基板上的第二半导体层、发光层及第一半导体层，基座表面形成定位结构；
在第一半导体层上形成基板，基板表面形成定位结构；
将暂时基板从第二半导体层上移除；
将基板的定位结构对准基座的定位结构，使芯片安装于基座上。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：在第一半导体层上形成基板的步骤进一步包括：
在第一半导体层上形成接合层；
在接合层上形成光阻层，光阻层部分覆盖接合层表面而使部分接合层暴露在外；
在暴露在外的接合层表面进一步形成填充层；
移除光阻层，填充层与接合层共同形成基板。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：接合层是通过电镀形成于第一半导体层上，填充层是通过电镀形成于接合层上。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：接合层及填充层均采用镍制成。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于：在移除光阻层之前填充层与光阻层齐平。
9.如权利要求4所述的方法，其特征在于：第一半导体层为P型半导体层，第二半导体层为N型半导体层。
10.如权利要求4所述的方法，其特征在于：基座为电路板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司，未经鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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