[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

沟道结构，所述沟道结构形成在衬底之上，所述衬底包括交替地层叠的多个层间电介质层和多个沟道层；以及

第一选择栅和第二选择栅，所述第一选择栅和所述第二选择栅被布置在所述沟道结构的第一侧和第二侧，其中所述第一选择栅和所述第二选择栅分别与所述多个沟道层的侧壁接触，

其中，形成所述第一选择栅的材料的功函数与形成所述第二选择栅的材料的功函数不同。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一选择栅由具有第一导电类型的半导体材料形成，所述第二选择栅由具有第二导电类型的半导体材料形成，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述第一选择栅由N型多晶硅形成，所述第二选择栅由P型多晶硅形成。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述沟道结构包括多个沟道结构，以及

所述第一选择栅和所述第二选择栅交替地排列在所述沟道结构之间。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

延伸部，所述延伸部被布置在所述沟道结构之上或之下，沿与所述沟道结构相交叉的第一方向延伸，并与所述第一选择栅和所述第二选择栅耦接。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

第一延伸部，所述第一延伸部被布置在所述沟道结构之上，沿与所述沟道结构相交叉的第一方向延伸，并与所述第一选择栅耦接，以及

第二延伸部，所述第二延伸部被布置在所述沟道结构之下，沿所述第一方向延伸，并与所述第二选择栅耦接。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述第一延伸部分由与形成所述第一选择栅的材料相同的材料形成，

所述第二延伸部分由与形成所述第二选择栅的材料相同的材料形成。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，在擦除操作模式下使用根据施加至所述第一选择栅和所述第二选择栅的电压而产生的栅致漏极泄漏电流。

9.一种非易失性存储器件，包括：

沟道，所述沟道从衬底沿垂直方向延伸；以及

多个层间电介质层和多个导电层，所述多个层间电介质层和所述多个导电层沿着所述沟道交替地层叠，

其中，所述多个导电层之中的最上层的导电层形成选择栅，以及

所述选择栅的接触所述沟道的第一侧的第一部分由具有第一功函数的材料形成，所述选择栅的接触所述沟道的第二侧的第二部分由具有第二功函数的材料形成，所述第二功函数与所述第一功函数不同。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，具有所述第一功函数的材料是具有第一导电类型的半导体材料，以及

具有所述第二功函数的材料是具有第二导电类型的半导体材料，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同。

11.如权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，具有所述第一功函数的材料由N型多晶硅形成，具有所述第二功函数的材料由P型多晶硅形成。

12.如权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述沟道在所述选择栅的延伸方向上包括多个沟道，以及

具有所述第一功函数的材料与具有所述第二功函数的材料沿所述选择栅的延伸方向交替地排列。

13.如权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，在擦除操作模式下使用根据施加至所述选择栅的电压而产生的栅致漏极泄漏电流。