[发明专利]一种防指纹薄膜的制备方法及防指纹薄膜

权利要求书

1. 一种防指纹薄膜的制备方法，在反应气氛中采用磁控溅射在基材表面形成防指纹薄膜；其特征在于，所述磁控溅射采用的靶材为聚四氟乙烯和氟化镁的混合物，所述反应气氛为保护气体和反应气体的混合物，所述反应气体为CF₄或SiF₄。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述靶材中聚四氟乙烯与氟化镁的摩尔比为1：（0.05~1）。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述靶材中聚四氟乙烯与氟化镁的摩尔比为1：（0.1~0.5）。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，制备所述靶材的方法为：将聚四氟乙烯颗粒与氟化镁颗粒按比例混合均匀，拌油熟化后装胚出胚，经烧结并车削成型，得到所述靶材。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护气体为N₂或惰性气体。

6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述反应气氛中保护气体与反应气体的体积流量比为1：（0.1~1）。

7.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述保护气体的体积流量为200-500 sccm，反应气体的体积流量为大于0至200sccm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的方法为：将真空室抽真空至5.0×10^-3 Pa以下，充入反应气氛，直至气压为0.3-2Pa，调整偏压为50-500V，占空比为15%-90%，以300-3000W的功率溅射5-25min。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行所述磁控溅射之前，还包括对基材进行超声波清洗和离子轰击处理的步骤。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述离子轰击处理为氩离子轰击处理，步骤为：将真空室抽真空至1.0×10^-2 - 8.0×10^-2 Pa，充入氩气，至气压为0.1-5Pa，然后在偏压为200-1000V、占空比为20-70%的条件下轰击5-20min。

11. 一种防指纹薄膜，其特征在于：所述防指纹薄膜由权利要求1-10任一项所述的制备方法制备得到。

12.根据权利要求11所述的防指纹薄膜，其特征在于，在基材表面形成的防指纹薄膜的厚度为10-30nm。