[发明专利]使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件

权利要求书

1.使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，包括硅衬底[4]、漂移区[1]、第一绝缘介质[10]、栅极[5]、沟道区[6]、欧姆接触重掺杂区[7]、源极[8]、漏极[11]、第二绝缘介质[9]、源极引出线[16]、漏极引出线[12]，其特征在于，

漂移区[1]、漏极[11]、源极[8]为第一种导电类型，沟道区[6]、硅衬底[4]、欧姆接触重掺杂区[7]为第二种导电类型；在漂移区[1]内至少嵌入设置两个隔离区；隔离区之间为漂移区[1]和沟道区[6]；每个隔离区从源极[8]延伸到漏极[11]；高介电常数材料条[3]和第一绝缘介质[10]形成隔离区的边界；隔离区内填充有第一填充材料[2]，在漂移区[1]和隔离区的表面设置有第二绝缘介质[9]，栅极[5]通过第二绝缘介质[9]上的孔与第一填充材料[2]直接接触。

2.如权利要求1所述的使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，其特征在于，隔离区为长方体形、梯形体、或平行四边形体，其垂直于衬底且方向为源极[8]到漏极[11]的边界为高介电常数材料条[3]。

3.如权利要求1所述的使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，其特征在于，隔离区内靠近源极[8]的一端填充有与栅极[5]材质相同的第三填充材料[51]，第三填充材料[51]通过第二绝缘介质[9]上的孔与栅极[5]直接接触，隔离区的剩余部分填充第一填充材料[2]，第一填充材料[2]的材质与高介电常数条[3]相同。

4.如权利要求1所述的使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，其特征在于，所述第一填充材料[2]为P-或N-型材料。

5.如权利要求2所述的使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，其特征在于，在隔离区之间，相邻的高介电材料条[3]的中间位置还设置有与高介电材料条[3]平行且材质相同的内部高介电材料条[13]，内部高介电材料条[13]两端分别与源极[8]和漏极[11]直接接触。

6.如权利要求2所述的使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，其特征在于，在隔离区内，设置有与高介电材料条[3]平行且材质相同的内部高介电材料条[13]，内部高介电材料条[13]两端分别与源极[8]和漏极[11]直接接触。

7.如权利要求1所述的使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，其特征在于，在高介电常数材料条[3]两侧设置有缓冲层[15]。

8.如权利要求1所述的使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，其特征在于，隔离区内横向设置有绝缘板[101]；绝缘板[101]将第一填充材料[2]分割为漏极邻近部分和源极邻近部分，源极邻近部分通过第二绝缘介质[9]上的孔与栅极[5]接触，漏极邻近部分与漏极[11]接触；与漏极接触的隔离区边界以第一填充材料[2]取代第一绝缘介质[10]。

9.如权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的横向功率器件，其特征在于，所述第一种导电类型为N型硅，第二种导电类型为P型硅；或者，第一种导电类型为P型硅，第二种导电类型为N型硅。