[发明专利]功率模块以及空调装置在审
| 申请号: | 201210557699.2 | 申请日: | 2012-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN103259420A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
| 发明(设计)人: | 加藤正博 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H02M1/42 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 模块 以及 空调 装置 | ||
1.一种功率模块,具有功率因数校正功能,其中,具备:
一对半导体开关元件;
一对第一二极管,与所述一对半导体开关元件分别连接,构成反向导通元件;
一对第二二极管,与所述一对半导体开关元件分别连接,具有整流功能;
驱动部,对所述一对半导体开关元件进行驱动;以及
一对端子,互相独立地设置,分别连接于所述一对第一二极管的与所述一对半导体开关元件连接的一端相反的另一端。
2.一种功率模块,具有与交错方式对应的功率因数校正功能,其中,具备:
一对半导体开关元件;
一对二极管,与所述一对半导体开关元件分别连接,构成反向导通元件;
驱动部,对所述一对半导体开关元件进行驱动;以及
一对端子,互相独立地设置,分别连接于所述一对二极管的与所述一对半导体开关元件连接的一端相反的另一端。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的功率模块,其中,
所述半导体开关元件包含由宽带隙半导体形成的金属氧化物半导体晶体管。
4.根据权利要求3所述的功率模块,其中,
所述宽带隙半导体包含碳化硅。
5.一种空调装置,其中,具备:
功率模块;
电容元件;以及
变换器,与所述电容元件连接,
所述功率模块具有功率因数校正功能,所述功率模块具备:
一对半导体开关元件;
一对第一二极管,与所述一对半导体开关元件分别连接,构成反向导通元件;
一对第二二极管,与所述一对半导体开关元件分别连接,具有整流功能;
驱动部,对所述一对半导体开关元件进行驱动;以及
一对端子,互相独立地设置,分别连接于所述一对第一二极管的与所述一对半导体开关元件连接的一端相反的另一端,
所述电容元件和所述变换器的连接点与所述一对端子连接。
6.一种空调装置,其中,具备:
功率模块;
电容元件;以及
变换器,与所述电容元件连接,
所述功率模块具有与交错方式对应的功率因数校正功能,所述功率模块具备:
一对半导体开关元件;
一对二极管,与所述一对半导体开关元件分别连接,构成反向导通元件;
驱动部,对所述一对半导体开关元件进行驱动;以及
一对端子,互相独立地设置,分别连接于所述一对二极管的与所述一对半导体开关元件连接的一端相反的另一端,
所述电容元件和所述变换器的连接点与所述一对端子连接。
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