[发明专利]一种用于化学机械抛光设备的清洗装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种清洗装置，尤其涉及一种用于化学机械抛光设备的清洗装置。 

背景技术

参阅附图1所示，在半导体生产中使用的化学机械抛光设备，通常包含多个抛光台10，抛光台10上方设置有多个抛光头，抛光头的上方设置有顶盖，各抛光台10的相邻位置设置有晶片清洗装置11，抛光台10的邻近位置还设置有晶片传载机构12，参阅附图2和附图3所示，晶片清洗装置11包含壳体1和垂直间隔设置在壳体1上的多个直喷头21，该直喷头21的出水口向正上方，图3中的箭头表示直喷头21的出水口的喷射方向。晶片抛光生产中，在各个抛光台10上设置抛光垫，并在抛光垫上添加研磨液，抛光头将待抛光面朝下的晶片吸持后压置在抛光垫上进行抛光，完成一次抛光后，抛光头吸持着晶片移动到设置在抛光台10相邻位置的晶片清洁装置11上方，晶片清洗装置11的多个直喷头21垂直向上喷射高压去离子水，清洗晶片的抛光面。由于在抛光过程中，抛光台10或抛光头快速旋转对晶片进行抛光，抛光垫中的研磨液喷溅到上方的顶盖内壁上，喷溅到顶盖上的研磨液干燥后成为研磨液结晶附着在顶盖内壁上。随着化学机械抛光设备使用时间的增加，附着在顶盖内壁上的研磨液结晶将逐渐增加，在晶片抛光生产过程中，这些附着在顶盖内壁上的研磨液结晶有时候会掉落下来，划伤晶片表面。而现有的晶片清洗装置11仅能对移动到其正上方的晶片进行清洗。 

发明内容

本发明提供了一种用于化学机械抛光设备的清洗装置，能够在清洗晶片的同时对化学机械抛光设备的顶盖内壁进行清洗，降低抛光过程中晶片划伤的几率，提高抛光生产的成品率，并且本发明装置结构简单，使用方便，成本低廉。 

本发明采用如下技术方案实现： 

一种用于化学机械抛光设备的清洗装置，包含多个抛光台，抛光台上方设有多个抛光头，抛光头的上方设置有顶盖，抛光台的邻近位置还设置有晶片传载机构，各抛光头吸持晶片在抛光台上抛光，各所述抛光头可移动；其特点是，所述该清洗装置包含：壳体、间隔设置在壳体上的一排多个喷头；所述喷头包含用于向晶片喷水的直喷头和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的弯喷头；各所述喷头通过水管与外部的进水管连接。

上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，所述直喷头垂直设置在壳体上。 

上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，所述弯喷头折弯成一钝角。 

上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，所述弯喷头优选折弯成一135°钝角。 

上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，各所述弯喷头设为出水口方向不同。 

上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，所述用于化学机械抛光设备的清洗装置设置在各抛光台的相邻位置。 

上述的用于化学机械抛光设备的清洗装置，其特点是，各所述喷头通过水管与外部的进水管连接，通过设置在外部的进水管上的阀门控制，各所述喷头可同时喷水。 

一种包含清洗装置的化学机械抛光设备，其特点是，包含：多个抛光台，设置在抛光台上方的多个抛光头，设置在抛光头上方的顶盖，设置在所述抛光台相邻位置的多个清洗装置，设置在抛光台邻近位置的晶片传载机构；各所述抛光头吸持晶片在抛光台上抛光，各所述抛光头可移动；所述清洗装置包含：壳体、间隔设置在壳体上的一排多个喷头；所述喷头包含用于向晶片喷水的直喷头和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的弯喷头；所述直喷头垂直设置在壳体上；各所述喷头通过水管与外部的进水管连接；通过设置在外部的进水管上的阀门控制，各所述喷头可同时喷水。 

上述的包含清洗装置的化学机械抛光设备，其特点是，所述弯喷头折弯成一钝角。 

上述的包含清洗装置的化学机械抛光设备，其特点是，各所述弯喷头设为出水口方向不同。 

本发明具有以下积极效果： 

本发明由于包含用于向晶片喷水的直喷头和用于向化学机械抛光设备顶盖内壁喷水的多个弯喷头，弯喷头折弯成一钝角，并且各个弯喷头的出水口方向不一致，各喷头可同时喷水，因此本发明装置可以向其正上方和周围斜上方各个方向喷射去离子水，从而可以在清洗移动到本发明正上方的晶片的同时清洗周围上方的化学机械抛光设备的抛光头和顶盖内壁，并使抛光头和顶盖内壁保持湿润状态，抛光过程中喷溅到顶盖内壁和抛光头上的研磨液不会干燥结晶，降低抛光过程中顶盖内壁上的研磨液结晶掉落划伤晶片抛光表面的几率，提高抛光生产的成品率，并且本发明装置结构简单，因此使用方便，成本低廉。

附图说明