[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201210555442.3 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN103427831B | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 崔勋 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H03L7/08 | 分类号: | H03L7/08 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 石卓琼,郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年5月25日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0056117的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明总体而言涉及一种半导体集成电路,更具体而言,涉及一种半导体装置。
背景技术
半导体装置接收时钟并且与接收的时钟同步地操作。为了使半导体装置输出与接收的时钟同步的信号,半导体装置在内部产生延迟锁定时钟(DLL)。
参见图1,现有的半导体装置包括DLL时钟发生单元10、输出使能信号发生单元20以及断电控制单元30。
DLL时钟发生单元10接收时钟CLK并产生DLL时钟CLK_dll,响应于复位信号Reset而被激活或去激活。
DLL时钟发生单元10包括缓冲器11、延迟线12、复制器13、相位比较部14以及延迟控制部15。
缓冲器11在被激活时将时钟CLK缓冲并且在缓冲器使能信号Buf_en被使能时产生缓冲时钟CLK_bf,以及在缓冲器使能信号Buf_en被禁止时缓冲器11被去激活并且将缓冲时钟CLK_bf锁定成特定的电平。
延迟线12响应于延迟控制信号ctrl_dl<0:4>而确定延迟时间,将缓冲时钟CLK_bf延迟确定的延迟时间,以及输出DLL时钟CLK_dll。
复制器13将DLL时钟CLK_dll延迟并输出反馈时钟CLK_fb。复制器13的延迟时间被设定为建模的半导体装置的内部延迟时间。
相位比较部14将反馈时钟CLK_fb和缓冲时钟CLK_bf的相位进行比较,并产生比较信号com_s。
延迟控制部15响应于比较信号com_s而产生延迟控制信号ctrl_dl<0:4>。例如,延迟控制部15输出(0,0,1,0,0)的延迟控制信号ctrl_dl<0:4>作为初始值,在比较信号com_s被使能时输出(0,1,0,0,0)或(1,0,0,0,0)的延迟控制信号ctrl_dl<0:4>,以及在比较信号com_s被禁止时输出(0,0,0,1,0)或(0,0,0,0,1)的延迟控制信号ctrl_dl<0:4>。
输出使能信号发生单元20接收读取命令信号RD_cmd,在经过预设周期的DLL时钟CLK_dll时将输出使能信号OE_signal输出,以及响应于复位信号Reset而被激活或去激活。
断电控制单元30响应于时钟使能信号CKE和自刷新信号Sref而产生缓冲器使能信号Buf_en和复位信号Reset。例如,断电控制单元30在时钟使能信号CKE被禁止时将缓冲器使能信号Buf_en禁止。此外,断电控制单元30在时钟使能信号CKE被禁止并且自刷新信号Sref被使能时将复位信号Reset使能。
在时钟使能信号CKE被禁止的状态下,现有的半导体装置的断电模式中,DLL时钟发生单元10的缓冲器11被去激活。因此,DLL时钟发生单元10的延迟线12在缓冲器11被去激活之前保持延迟时间。
在从断电模式进入自刷新模式时,DLL时钟发生单元10和输出使能信号发生单元20都被去激活。
如果兼有这些操作的断电模式频繁地发生,则DLL时钟发生单元10和通过接收DLL时钟发生单元10的输出信号来操作的输出使能信号发生单元20被反复地激活或去激活,由此误操作的可能性增大。
发明内容
在本发明的一个实施例中,一种半导体装置包括:DLL时钟发生单元,所述DLL时钟发生单元被配置成将时钟的相位与反馈时钟的相位进行比较,确定延迟线的延迟时间,经由延迟线将时钟延迟所述延迟时间,以及产生DLL时钟;延迟检测单元,所述延迟检测单元被配置成检测延迟线的延迟时间,并且当延迟时间大于或等于预定的时间时将延迟检测信号使能;以及断电控制单元,所述断电控制单元被配置成在断电模式之下的自刷新操作中,当延迟检测信号被使能时防止DLL时钟发生单元被复位,并且当延迟检测信号被禁止时将DLL时钟发生单元复位。
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