[发明专利]存储系统及其编程方法

说明书

一种对存储器件编程的方法，包括：在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及在第一编程模式中使用该控制器改变该存储器件的第一编程和第二编程的编程比率。

对相关申请的交叉引用

本申请要求2011年12月29日提交的韩国专利申请No.10-2011-0137395的优先权，通过引用将其公开的全部内容合并于此。

技术领域

本发明构思涉及存储系统及其编程方法。

背景技术

半导体存储器件可以是易失性存储器件或非易失性存储器件。非易失性存储器件即使在没有通电时也可以保持数据。取决于所使用的制造技术，非易失性存储器件中存储的数据可以是永久性的或可再编程的。非易失性存储器件通常用于计算机、航空电子、电信、和消费电子产业中多种应用中的用户数据、程序和微码存储。

发明内容

本发明构思的示范性实施例提供一种对存储器件编程的方法，该方法包括：在该存储器件的控制器处响应于第一信息而确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及在第一编程模式中，使用该控制器改变该存储器件的第一编程和第二编程的编程比率。

第一模式中第一和第二编程的编程比率是非均匀的。

所述多个编程模式的第二模式中第一和第二编程的编程比率是均匀的。

第一编程比第二编程执行更多次。

第一编程比第二编程消耗更少的功率或者产生更少的热量。

该存储器件包括2位单元。

第一编程是2位单元上的最低有效位（LSB）编程操作，而第二编程是2位单元上的最高有效位（MSB）编程操作。

本发明构思的示范性实施例提供一种对存储器件编程的方法，该方法包括：在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及在第一编程模式中，使用该控制器改变该存储器件的第一编程、第二编程和第三编程的编程比率。

改变编程比率以使得第一编程比第二和第三编程的每一个执行更多次，并且其中第二和第三编程执行相同次数。

改变编程比率以使得第一和第二编程的每一个比第三编程执行更多次，并且其中第一和第二编程执行相同次数。

改变编程比率以使得第一至第三编程执行彼此不同的次数。

该存储器件包括3位单元。

第一编程是3位单元上的LSB编程操作，第二编程是3位单元上的中间有效位（CSB）编程操作，而第三编程是3位单元上的MSB编程操作。

本发明构思的示范性实施例提供一种对存储器件编程的方法，该方法包括：在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入低功率模式，其中第一信息包括低功率模式命令或温度管理命令；以及在所述低功率模式中，使用该控制器改变该存储器件的第一编程和第二编程的编程比率。

本发明构思的示范性实施例提供一种对存储器件编程的方法，该方法包括：在该存储器件的控制器处确定该存储器件的操作模式为低功率模式；当处于低功率模式时在该控制器处确定由于该存储器件性能的退化，多个编程模式的第一编程模式不是可执行的；响应于确定第一编程模式不是可执行的，调用功率减少方案；以及根据该功率减少方案，在所述多个编程模式的第二编程模式中，在该存储器件中执行第一和第二编程。

第二编程模式中第一和第二编程的编程比率是均匀的，而第一编程模式中第一和第二编程的编程比率不是均匀的。