[发明专利]存储系统及其编程方法

权利要求书

1.一种对存储器件编程的方法，包括：

在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及

在第一编程模式中使用该控制器改变该存储器件的第一编程与第二编程的编程比率，

其中该存储器件包括2位单元，

其中第一编程是在2位单元上的最低有效位LSB编程操作，而第二编程是在2位单元上的最高有效位MSB编程操作，

其中LSB编程操作比MSB编程操作执行更多次数。

2.如权利要求1所述的方法，其中在第一编程模式中，第一编程与第二编程的编程比率是非均匀的。

3.如权利要求2所述的方法，其中在所述多个编程模式的第二编程模式中，第一编程与第二编程的编程比率是均匀的。

4.如权利要求1所述的方法，其中第一编程比第二编程消耗更少的功率或产生更少的热量。

5.一种对存储器件编程的方法，包括：

在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及

在第一编程模式中，使用该控制器改变该存储器件的第一编程、第二编程和第三编程之间的编程比率，

其中该存储器件包括3位单元，

其中第一编程是在3位单元上的最低有效位LSB编程操作，第二编程是在3位单元上的中间有效位CSB编程操作，而第三编程是在3位单元上的最高有效位MSB编程操作，

其中LSB编程操作比MSB编程操作执行更多次数。

6.如权利要求5所述的方法，其中改变编程比率以使得LSB编程操作比CSB编程操作和MSB编程操作的每一个执行更多次数，并且其中CSB 编程操作和MSB编程操作执行相同次数。

7.如权利要求5所述的方法，其中改变编程比率以使得LSB编程操作和CSB编程操作的每一个比MSB编程操作执行更多次数，并且其中LSB编程操作和CSB编程操作执行相同次数。

8.如权利要求5所述的方法，其中改变编程比率以使得LSB编程操作、CSB编程操作和MSB编程操作执行彼此不同的次数。

9.一种存储系统，包括：

多个非易失性存储器件，其中每个非易失性存储器件被配置为在第一编程模式或第二编程模式下操作；以及

控制器，经由多个通道连接至所述多个非易失性存储器件，其中该控制器被配置为测量该存储系统的温度，并且响应于测量的温度，确定是在第一编程模式还是第二编程模式下操作所述多个非易失性存储器件，

其中所述多个非易失性存储器件中的至少一个包括多级单元，

其中第一编程是在所述多个非易失性存储器件中的至少一个上的最低有效位LSB编程操作，而第二编程是在所述多个非易失性存储器件中的至少一个上的最高有效位MSB编程操作，

其中，在第一编程模式下，改变编程比率使得LSB编程操作比MSB编程操作执行更多次数。

10.如权利要求9所述的存储系统，其中在第一编程模式中LSB编程操作与MSB编程操作的编程比率大于1:1，并且在第二编程模式中LSB编程操作与MSB编程操作 的编程比率为1:1。

11.如权利要求9所述的存储系统，其中每个通道包括多条路线，每条路线包括连接至该通道的所述多个非易失性存储器件之一。

12.如权利要求9所述的存储系统，其中该存储系统包括在固态驱动器中。