[发明专利]移位暂存器

说明书

技术领域

本发明涉及主动矩阵有机发光二极管（Active-Matrix OrganicLight-Emitting Diode，AMOLED），特别是涉及主动矩阵有机发光二极管的移位暂存器（shift register）。

背景技术

一般用来驱动主动矩阵有机发光二极管（AMOLED）发光的补偿电路都需要扫描信号与发光信号，扫描信号与发光信号通常是相位相反的信号，而为了能使用氧化铟镓锌（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）薄膜（IGZO材料目前所制作出的薄膜晶体管为N型）作为主动矩阵有机发光二极管面板的背板制程，驱动主动矩阵有机发光二极管的电路皆以N型薄膜晶体管来制作。

请参照图1，图1是传统的驱动主动矩阵有机发光二极管的补偿电路的电路图。像素补偿电路1包括晶体管11、12、13、14、15与发光二极管16。扫描信号SCAN控制N型晶体管11，N型晶体管11传递数据信号VDATA至N型晶体管14的栅极。N型晶体管15的栅极受控于发光信号EM，藉此控制发光二极管16发光。晶体管12、13分别受控于预设信号Pre或重置信号Rst。然而，传统的N型薄膜晶体管位移暂存器（shiftregister）都只用来产生扫描信号SCAN，并无提供发光信号EM的功能。

发明内容

本发明实施例提供一种用来提供扫描信号与发光信号的N型薄膜晶体管移位暂存器。

本发明实施例提供一种移位暂存器，包括移位暂存单元与发光信号产生单元。移位暂存单元具有输入端、输出端与控制端，通过输入端接收前级信号，且经移位暂存单元处理运算而产生后级信号，并通过输出端输出后级信号，且通过控制端输出控制信号。发光信号产生单元接收控制信号以产生与后级信号相位相反的发光信号。发光信号产生单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容与第四晶体管。第一晶体管的栅极与漏极耦接且接收高电平电压。第二晶体管的栅极接收控制信号，第二晶体管的漏极耦接第一晶体管的源极，第二晶体管的源极耦接低电平电压。第三晶体管的栅极耦接第一晶体管的源极与第二晶体管的漏极，第三晶体管的漏极耦接高电平电压。第一电容耦接于第三晶体管的栅极与源极之间。第四晶体管的栅极接收控制信号，第四晶体管的漏极耦接第三晶体管的源极，第四晶体管的源极耦接低电平电压。发光信号由第三晶体管的源极与第四晶体管的漏极的连接端点输出。

综上所述，本发明实施例所提供的移位暂存器可以同时提供扫描信号与发光信号，以驱动主动矩阵有机发光二极管像素的补偿电路，且发光信号产生单元与移位暂存单元的晶体管均仅利用N型晶体管来实现，不须使用P型晶体管，可以符合主动矩阵有机发光二极管面板的背板制程。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅是用来说明本发明，而非对本发明的权利要求范围作任何的限制。

附图说明

图1是传统的驱动主动矩阵有机发光二极管的补偿电路的电路图。

图2是本发明实施例的移位暂存器的电路图。

图3A是本发明实施例的移位暂存器的电路图。

图3B是本发明实施例的移位暂存器的电路图。

图3C是本发明实施例的移位暂存器的电路图。

图4A是本发明实施例的移位暂存器的信号波形图。

图4B是本发明实施例的移位暂存器的信号波形图。

图4C是本发明实施例的移位暂存器的信号波形图。

图5A是本发明另一实施例的移位暂存器的电路图。

图5B是本发明另一实施例的移位暂存器的电路图。

图5C是本发明另一实施例的移位暂存器的电路图。

【主要元件符号说明】

1：像素补偿电路

VDD、VSS、VREF：直流偏压

VDATA：数据信号

SCAN：扫描信号

Rst：重置信号

Vp：控制信号

Pre：预设信号

16：发光二极管

2、3、4：移位暂存器

21、31、41：移位暂存单元

22、32、42：发光信号产生单元

311：控制电路

N-1：前级信号

N：后级信号

EM：发光信号

VGH：高电平电压

VGL：低电平电压

CK：第一时钟信号

XCK：第二时钟信号