[发明专利]移位暂存器有效

专利信息
申请号: 201210554842.2 申请日: 2012-12-19
公开(公告)号: CN103886910B 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 曾卿杰;曾名骏;陈联祥;郭拱辰 申请(专利权)人: 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
主分类号: G11C19/28 分类号: G11C19/28;G09G3/3225
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 余刚,李静
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 移位 暂存器
【权利要求书】:

1.一种移位暂存器,其特征在于,包括:

一移位暂存单元,具有一输入端、一输出端以及一控制端,通过所述输入端接收一前级信号,且经所述移位暂存单元处理运算而产生一后级信号,并且通过所述输出端输出所述后级信号,且通过所述移位暂存单元的所述控制端输出一控制信号;

以及

一发光信号产生单元,接收所述控制信号以产生与所述后级信号的相位相反的一发光信号,所述发光信号产生单元包括:

一第一晶体管,所述第一晶体管的栅极与漏极耦接且接收一高电平电压;

一第二晶体管,所述第二晶体管的栅极接收所述控制信号,所述第二晶体管的漏极耦接所述第一晶体管的源极,所述第二晶体管的源极耦接一低电平电压;

一第三晶体管,所述第三晶体管的栅极耦接所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极,所述第三晶体管的漏极耦接所述高电平电压;

一第一电容,耦接于所述第三晶体管的栅极与源极之间;

一第四晶体管,所述第四晶体管的栅极接收所述控制信号,所述第四晶体管的漏极耦接所述第三晶体管的源极,所述第四晶体管的源极耦接所述低电平电压;以及

一第九晶体管,所述第九晶体管的漏极与源极分别耦接所述第三晶体管的漏极与栅极,所述第九晶体管的栅极接收一第一时钟信号;

其中,所述发光信号由所述第三晶体管的源极与所述第四晶体管的漏极的连接端点输出;

其中,所述移位暂存单元包括:

一控制电路,具有一第一端、一第二端以及一控制端,所述第一端接收所述前级信号,所述第二端输出所述前级信号,所述控制电路的所述控制端接收所述第一时钟信号;

一第五晶体管,所述第五晶体管的栅极与漏极耦接且接收所述高电平电压;

一第六晶体管,所述第六晶体管的栅极耦接所述控制电路的所述第二端,所述第六晶体管的漏极耦接所述第五晶体管的源极,所述第六晶体管的源极耦接所述低电平电压;

一第七晶体管,所述第七晶体管的漏极接收一第二时钟信号,所述第七晶体管的栅极耦接所述控制电路的所述第二端,所述第七晶体管的源极耦接所述输出端,其中所述第二时钟信号为与所述第一时钟信号的相位相反的信号;

一第八晶体管,所述第八晶体管的栅极耦接于所述第五晶体管的源极,所述第八晶体管的漏极耦接所述输出端,所述第八晶体管的源极耦接所述低电平电压;以及

一第二电容,耦接于所述第七晶体管的栅极与源极之间。

2.根据权利要求1所述的移位暂存器,其特征在于,所述发光信号产生单元还包括:

一第十晶体管,所述第十晶体管的漏极与源极分别耦接所述第三晶体管的漏极与栅极,所述第十晶体管的栅极接收一后二级信号。

3.根据权利要求1所述的移位暂存器,其特征在于,所述移位暂存单元还包括:

一下拉晶体管,所述下拉晶体管的栅极接收所述前级信号,所述下拉晶体管的漏极耦接所述移位暂存单元的所述控制端,所述下拉晶体管的源极耦接所述低电平电压。

4.根据权利要求1所述的移位暂存器,其特征在于,所述移位暂存单元还包括:

一第十三晶体管,所述第十三晶体管的栅极与源极耦接所述输出端,所述第十三晶体管的漏极耦接所述控制电路的一第三端。

5.根据权利要求1所述的移位暂存器,其特征在于,当所述前级信号以及所述第一时钟信号为高电平电压时,所述移位暂存单元的所述输出端产生的所述后级信号为低电平电压,且所述移位暂存单元的所述控制端为低电平电压,所述发光信号产生单元产生的所述发光信号为高电平电压。

6.根据权利要求1所述的移位暂存器,其特征在于,当所述前级信号以及所述第一时钟信号为低电平电压时,所述移位暂存单元的所述输出端产生的所述后级信号为高电平电压,且所述移位暂存单元的所述控制端为低电平电压,所述发光信号产生单元产生的所述发光信号为低电平电压。

7.根据权利要求1所述的移位暂存器,其特征在于,当所述前级信号为低电平电压且所述第一时钟信号为高电平电压时,所述移位暂存单元的所述输出端产生的所述后级信号为低电平电压,且所述控制信号为低电平电压,所述发光信号产生单元产生的所述发光信号为高电平电压。

8.根据权利要求1所述的移位暂存器,其特征在于,所述发光信号产生单元的晶体管与所述移位暂存单元的晶体管均为N型晶体管。

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