[发明专利]一种多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210554308.1 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103000513A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;蒋涛;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 介电常数 材料 sicoh 薄膜 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法，其特征在于具体步骤为：
（1）在洁净的单晶硅片上形成一层多孔SiCOH薄膜，其中薄膜介电常数值为2.2-2.7；
（2）对上述薄膜进行曝光和显影，形成排列有序的光刻图案；
（3）将上述带图案的单晶硅片移入反应离子刻蚀腔体中，进行SiCOH薄膜的刻蚀，刻蚀气体采用由CF3I、C4F8、O2组成的混合气体，其中CF3I流量范围为 20-60sccm，C4F8流量范围为20-60sccm，氧气流量范围为1.2sccm-8sccm；
（4）刻蚀结束后通入流量范围为400-1000sccm，气压为5-10mTorr的氧气来进行灰化处理，处理持续时间为10-40s。
2. 根据权利要求1所述的多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法，其特征在于：步骤（3）所述刻蚀过程中，调节高频离子源功率为250W-500W，低频偏置功率为10-40W。
3. 根据权利要求1所述的多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法，其特征在于：步骤（3）所述刻蚀过程中，保持腔体气体压强为2-15mTorr。
4. 根据权利要求1所述的多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法，其特征在于：步骤（4）所述灰化处理过程中，控制高频离子源功率为100-600W，低频偏置功率为10-100W。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
