[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历了快速成长。在IC演进的过程中，功能密度(即，每单位芯片面积的互连器件的数目)通常增加而几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小部件(或者线路))减小。这种按比例减小的工艺通常通过增加生产效率并且降低相关成本来提供优点。这种按比例减小也增加了加工和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC制造的类似发展。

例如，随着半导体产业在追求更高器件密度、更高性能和更低成本时发展到纳米技术工艺节点，来自制造和设计的挑战已经产生诸如场效应晶体管(FET)的多层集成器件的发展。FET器件可以包括具有与下面的层对准的互连件的层间介电层(ILD)。然而随着按比例缩小的继续，对准ILD层的互连件已经证实很困难。虽然现有FET器件和制造FET器件的方法通常足以用于它们的期望目的，但是它们无法在所有方面完全令人满意。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括有源区域，所述有源区域包括多个器件区域；第一器件，设置于所述多个器件区域中的第一器件区域中，所述第一器件包括第一栅极结构、设置在所述第一栅极结构的侧壁上的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；第二器件，设置于所述多个器件区域中的第二器件区域中，所述第二器件包括第二栅极结构、设置在所述第二栅极结构的侧壁上的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件，所述第一源极和漏极部件与所述第二源极和漏极部件具有公共源极和漏极部件；以及接触部件，设置于所述公共源极和漏极部件上，所述接触部件与所述公共源极和漏极部件电接触。

该半导体器件还包括：其它接触部件，设置于所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件上，所述其它接触部件与所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件电接触；隔离区域，围绕所述有源区域，所述隔离区域被配置成将所述有源区域与所述半导体器件的其它有源区域隔离；第一层间介电(ILD)层，设置于所述隔离区域上方并围绕所述有源区域；第二ILD层，设置于所述第一ILD层上方以及所述第一器件区域和所述第二器件区域上方；栅极接触部件，延伸穿过所述第二ILD层，以与所述第一器件的栅极结构接触；互连部件，延伸穿过所述第二ILD层并与所述其它接触部件中的接触部件接触。

该半导体器件还包括：硅化物层，设置于所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件上，所述硅化物层介于所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件与设置于所述公共源极和漏极部件上的所述接触部件之间。

该半导体器件还包括：金属阻挡层，设置于所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件上，所述金属阻挡层介于所述硅化物层与所述公共源极和漏极部件的所述接触部件之间。

在该半导体器件中，所述公共源极和漏极部件的所述接触部件与所述第一栅极间隔件中的栅极间隔件和所述第二栅极间隔件中的栅极间隔件接触。

在该半导体器件中，所述第一器件的栅极结构的一部分延伸到所述有源区域外，并且所述栅极接触部件形成于所述第一器件的栅极结构延伸到所述有源区域外的所述一部分的上方。

在该半导体器件中，所述第一器件的栅极结构包括高k电介质和金属导体，并且所述栅极接触部件包括从由铝(Al)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中选择的材料。

在该半导体器件中，从由PMOS FET器件和NMOS FET器件组成的组中选择所述第一器件和所述第二器件。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；栅极结构，形成于所述衬底的有源区域上；第一栅极间隔件，设置于所述栅极结构的第一侧壁上；第二栅极间隔件，设置于所述栅极结构的第二侧壁上；第一源极和漏极部件，设置于所述栅极结构的一侧上，通过在所述衬底内限定的第一阱结构界定所述第一源极和漏极部件；第二源极和漏极部件，设置于所述栅极结构的另一侧上，通过在所述衬底内限定的第二阱结构界定所述第二源极和漏极部件；第一连接部件，设置于所述第一源极和漏极部件上，所述第一连接部件与所述第一源极和漏极部件电接触并且延伸越过所述第一源极和漏极部件的顶面，使得所述第一源极和漏极部件的顶面基本上被所述第一连接部件覆盖；以及第二连接部件，设置于所述第二源极和漏极部件上，所述第二连接部件与所述第二源极和漏极部件电接触并且延伸越过所述第二源极和漏极部件的顶面，使得所述第二源极和漏极部件的顶面基本上被所述第二连接部件覆盖。