[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，包括有源区域，所述有源区域包括多个器件区域；

第一器件，设置于所述多个器件区域中的第一器件区域中，所述第一器件包括第一栅极结构、设置在所述第一栅极结构的侧壁上的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；

第二器件，设置于所述多个器件区域中的第二器件区域中，所述第二器件包括第二栅极结构、设置在所述第二栅极结构的侧壁上的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件，所述第一源极和漏极部件与所述第二源极和漏极部件具有公共源极和漏极部件；以及

接触部件，设置于所述公共源极和漏极部件上，所述接触部件与所述公共源极和漏极部件电接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

其它接触部件，设置于所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件上，所述其它接触部件与所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件电接触；

隔离区域，围绕所述有源区域，所述隔离区域被配置成将所述有源区域与所述半导体器件的其它有源区域隔离；

第一层间介电(ILD)层，设置于所述隔离区域上方并围绕所述有源区域；

第二ILD层，设置于所述第一ILD层上方以及所述第一器件区域和所述第二器件区域上方；

栅极接触部件，延伸穿过所述第二ILD层，以与所述第一器件的栅极结构接触；

互连部件，延伸穿过所述第二ILD层并与所述其它接触部件中的接触部件接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

硅化物层，设置于所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件上，所述硅化物层介于所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件与设置于所述公共源极和漏极部件上的所述接触部件之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

金属阻挡层，设置于所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件上，所述金属阻挡层介于所述硅化物层与所述公共源极和漏极部件的所述接触部件之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述公共源极和漏极部件的所述接触部件与所述第一栅极间隔件中的栅极间隔件和所述第二栅极间隔件中的栅极间隔件接触。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一器件的栅极结构的一部分延伸到所述有源区域外，并且

所述栅极接触部件形成于所述第一器件的栅极结构延伸到所述有源区域外的所述一部分的上方。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一器件的栅极结构包括高k电介质和金属导体，并且

所述栅极接触部件包括从由铝(Al)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中选择的材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从由PMOS FET器件和NMOS FET器件组成的组中选择所述第一器件和所述第二器件。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

栅极结构，形成于所述衬底的有源区域上；

第一栅极间隔件，设置于所述栅极结构的第一侧壁上；

第二栅极间隔件，设置于所述栅极结构的第二侧壁上；

第一源极和漏极部件，设置于所述栅极结构的一侧上，通过在所述衬底内限定的第一阱结构界定所述第一源极和漏极部件；

第二源极和漏极部件，设置于所述栅极结构的另一侧上，通过在所述衬底内限定的第二阱结构界定所述第二源极和漏极部件；

第一连接部件，设置于所述第一源极和漏极部件上，所述第一连接部件与所述第一源极和漏极部件电接触并且延伸越过所述第一源极和漏极部件的顶面，使得所述第一源极和漏极部件的顶面基本上被所述第一连接部件覆盖；以及

第二连接部件，设置于所述第二源极和漏极部件上，所述第二连接部件与所述第二源极和漏极部件电接触并且延伸越过所述第二源极和漏极部件的顶面，使得所述第二源极和漏极部件的顶面基本上被所述第二连接部件覆盖。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供包括有源区域和隔离区域的衬底；

在所述衬底上形成第一牺牲接触塞和第二牺牲接触塞；

在所述第一牺牲接触塞的侧壁上形成第一间隔件并在所述第二牺牲接触塞的侧壁上形成第二间隔件；

在所述第一牺牲接触塞与所述第二牺牲接触塞之间的区域中以及在所述衬底上方形成栅极结构，所述栅极结构与所述第一间隔件中的间隔件和所述第二间隔件中的间隔件接触；

选择性地去除所述第一牺牲接触塞和所述第二牺牲接触塞，以限定第一源极和漏极区域以及第二源极和漏极区域；

在所述第一源极和漏极区域以及所述第二源极和漏极区域中外延生长第一源极和漏极部件以及第二源极和漏极部件；以及

在所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件上方形成第一接触部件和第二接触部件，所述第一接触部件和所述第二接触部件与所述第一源极和漏极部件以及所述第二源极和漏极部件电接触。