[发明专利]半导体芯片封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种半导体芯片封装结构，包括芯片封装体，所述芯片封装体包括：

芯片，所述芯片包括上表面、与上表面相背的下表面，所述下表面上设有感光区和焊垫；

基底，所述基底包括上表面，与上表面相背的下表面，所述基底上表面与所述芯片下表面连接；

焊球，所述焊球设置于所述芯片上表面；

导电层，电连接所述焊垫和所述焊球；

其特征在于，所述半导体芯片封装结构还包括覆盖于除基底下表面外的所有芯片封装体外表面的气相沉积高分子有机薄膜。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，所述气相沉积高分子有机薄膜为Parylene薄膜。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片封装结构，其特征在于，所述Parylene薄膜的厚度为1~10um。

4.一种半导体芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一芯片，所述芯片包括上表面、与上表面相背的下表面，所述下表面上设有多个感光区和多个焊垫；

提供一基底，所述基底包括上表面，与上表面相背的下表面；

将所述基底的上表面与所述芯片的下表面压合；

提供一胶带，并将所述基底的下表面粘合在所述胶带上；

在芯片上形成电连接所述焊垫的导电层；

在芯片的上表面形成至少一个电连接所述导电层的焊球；

切割所述芯片和所述基底，形成多个粘合于所述胶带的芯片封装体；

在每个芯片封装体除基底下表面外的所有外表面上形成气相沉积高分子有机薄膜。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，在所述方法还包括：

通过剥离工艺用光刻胶在所述焊球的表面形成光阻，所述光阻在远离所述焊球方向上与所述芯片的上表面形成的夹角小于90度；以及在形成气相沉积高分子有机薄膜后，将所述光阻从所述焊球表面去除。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，所述光阻包括位于所述焊球上方的上表面，以及由所述上表面向所述芯片上表面延伸且逐渐靠近所述焊球的侧壁。

7.根据权利要求4所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，在所述“在芯片上形成电连接所述焊垫的导电层”步骤后，还包括：

在所述导电层上形成防焊层。

8.根据权利要求4所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，在“在每个芯片封装体除基底下表面外的所有外表面上形成气相沉积高分子有机薄膜”后，还包括：

去除所述胶带，得到封装完成的多个半导体芯片封装结构。

9.根据权利要求4到8中任一项所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，所述气相沉积高分子有机薄膜为Parylene薄膜。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片封装方法，其特征在于，所述Parylene薄膜的厚度为1~10um。