[发明专利]功率器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210552258.3 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103871838A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 国天增 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制造 方法 | ||
1.一种功率器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在硅片的正面完成功率器件的正面工艺，所述正面工艺包括形成顶层金属，在所述顶层金属上形成钝化层，在所述钝化层上涂布聚酰亚胺；
步骤二、涂布所述聚酰亚胺之后，对所述硅片背面进行减薄，减薄之后对所述硅片背面进行背面离子注入，对所述背面离子注入的离子进行退火激活；
步骤三、去除在所述退火激活过程中正面的所述聚酰亚胺对所述硅片背面的污染，包括如下分步骤：
步骤3a、采用湿法旋转刻蚀工艺对所述硅片背面进行处理，所述湿法旋转刻蚀工艺采用碱性氧化药液对所述硅片背面的硅进行腐蚀，硅腐蚀的厚度为10埃以下；
步骤3b、所述湿法旋转刻蚀工艺之后，用带有兆声波的去离子水对所述硅片进行水洗；
步骤3c、采用干燥工艺将所述水洗后残留在所述硅片的背面的水去除，所述干燥工艺采用氮气吹干加高速甩干的方法；
步骤四、对去除污染后的所述硅片背面形成背面金属。
2.如权利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于：步骤3a中所述湿法旋转刻蚀工艺的工艺时间为2分钟～3分钟、所述碱性氧化药液的温度为60℃～80℃。
3.如权利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于：步骤3a中所述碱性氧化药液的成分为：NH4OH、H2O2和H2O。
4.如权利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于：步骤3a中所述湿法旋转刻蚀工艺的旋转速度为600转/分钟～800转/分钟，所述碱性氧化药液的流量为1升/分钟～2升/分钟。
5.如权利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于：步骤3b中所述水洗工艺的兆声波功率为400瓦～600瓦。
6.如权利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于：步骤3b中所述水洗工艺的条件为：时间为30秒～60秒、旋转速度为400转/分钟～600转/分钟、去离子水流量为2升/分钟。
7.如权利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于：步骤3c中的所述干燥工艺的时间为10秒～20秒，所述高速甩干的旋转速度为1800转/分钟～2000转/分钟，所述氮气吹干的氮气流量为250升/分钟～300升/分钟，所述干燥工艺是在进行所述高速甩干的同时吹氮气进行所述氮气吹干。
8.如权利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于：步骤二中所述背面离子注入包括背面硼离子注入或背面磷离子注入，所述退火激活的温度为450℃。
9.如权利要求1所述的功率器件的制造方法，其特征在于：步骤3a～3c在同一湿法旋转刻蚀机台中完成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
