[发明专利]一种逐次逼近型ADC版图结构有效

专利信息
申请号: 201210551926.0 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN103023504A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 刘珂;杜占坤;马骁;邵莉 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H03M1/38 分类号: H03M1/38
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 逐次 逼近 adc 版图 结构
【权利要求书】:

1.一种逐次逼近型ADC的版图结构,其特征在于,包括:

第一电容阵列版图区(106a)、第二电容阵列版图区(106b)、第三电容阵列版图区(106c)和第四电容阵列版图区(106d),且这4个电容阵列版图区在整个版图结构中呈田字型排列,上下左右完全对称;以及

从左至右依次连接且位于第一至第四电容阵列版图区的对称中线上的比较器版图区(110)、控制逻辑电路版图区(109)、开关阵列版图区(108)和基准与偏置电路版图区(107);

其中,第一电容阵列版图区(106a)分别与第三电容阵列版图区(106c)、比较器版图区(110)、基准与偏置电路版图区(107)相连接;第二电容阵列版图区(106b)分别与第四电容阵列版图区(106d)、比较器版图区(110)及基准与偏置电路版图区(107)相连接;第三电容阵列版图区(106c)分别与第一电容阵列版图区(106a)、基准与偏置电路(107)相连接;第四电容阵列版图区(106d)分别与第二电容阵列版图区(106b)、基准与偏置电路版图区(107)相连接;

比较器版图区(110)分别与第一电容阵列版图区(106a)、第二电容阵列版图区(106b)相连接;

基准与偏置电路版图区(107)分别与第一电容器阵列版图区(106a)、第二电容器阵列版图区(106b)、第三电容阵列版图区(106c)及第四电容阵列版图区(106d)相连接。

2.根据权利要求1所述的逐次逼近型ADC的版图结构,其特征在于,所述第一电容阵列版图区(106a)中,第一电容阵列由多个电容单元构成,该多个电容单元等距放置并且形状和大小一致;

根据对应数字输出的权重大小连接一定数量的电容单元构成内部电容,并保证连线长度按照二进制权重比例实现,以保证引入寄生电容后的内部电容大小依然维持二进制权重比例关系;

在电容阵列周边增加一圈虚拟电容,保证每个电容单元在纵横维度上都具有相同的外部环境。

3.根据权利要求2所述的逐次逼近型ADC版图结构,其特征在于,所述第二电容阵列版图区(106b)、第三电容阵列版图区(106c)和第四电容阵列版图区(106d)与第一电容阵列版图区(106a)相同。

4.根据权利要求1所述的逐次逼近型ADC版图结构,其特征在于,该逐次逼近型ADC的版图结构的芯片管脚分为模拟部分和数字部分,分别对应模拟信号和数字信号,模拟输入输出端管脚对应模拟供电端,数字输入输出端管脚对应数字供电端。

5.根据权利要求4所述的逐次逼近型ADC版图结构,其特征在于,所述数字供电端位于所述第一电容阵列版图区(106a)和第二电容阵列版图区(106b)所在的一侧,所述模拟供电端位于第三电容阵列版图区(106c)和第四电容阵列版图区(106d)所在的一侧。

6.根据权利要求4所述的逐次逼近型ADC版图结构,其特征在于,模拟信号流入端与电容阵列输出端连接,数字信号输出端与逻辑控制模块相连接,减少数字信号路径,降低对周围敏感结点的干扰。

7.根据权利要求3所述的逐次逼近型ADC版图结构,其特征在于,所述电容阵列周围加上较宽的保护环,该保护环带有阱接触和不带有阱接触的两种。

8.根据权利要求1所述的逐次逼近型ADC版图结构,其特征在于,所述比较器版图区(110)中的比较器作为模拟与数字信号的转换枢纽,按照轴对称的形式布局,并按照信号流向顺序布局。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的逐次逼近型ADC版图结构,其特征在于,对所有模拟和条件允许的晶体管上,加上尽可能多的衬底接触和阱接触,并且衬底电压与电源电压相连接。

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