[发明专利]一种电容触摸屏及其制备方法有效
| 申请号: | 201210548245.9 | 申请日: | 2012-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN103870072A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
| 发明(设计)人: | 马志锋;严凌云 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
| 地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电容 触摸屏 及其 制备 方法 | ||
1.一种电容触摸屏,其特征在于,包括:
透明基板;
形成在所述透明基板之上的双层减反射膜层;
形成在所述双层减反射膜层之上的透明电极层;
以及
形成在所述透明电极层之上的高折射率遮蔽层,
其中,所述双层减反射膜层进一步包括:
高折射率材料层;以及
形成在所述高折射率材料层之上的二氧化硅层,
其中,所述透明电极层进一步包括:
多个透明电极;
多个所述透明电极之间的透明电极膜刻蚀区;以及
透明电极引线。
2.如权利要求1所述的电容触摸屏,其特征在于,所述透明电极层的材料为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌或掺氟氧化锡。
3.如权利要求1所述的电容触摸屏,其特征在于,所述高折射率遮蔽层与所述透明电极层的折射率相近似,所述高折射率遮蔽层为二氧化钛、三氧化二铝、五氧华二铌、硫化锌、三氧化二钇或二氧化锆。
4.如权利要求1所述的电容触摸屏,其特征在于,所述高折射率材料层与所述透明电极层的折射率相近似,所述高折射率材料层为二氧化钛、三氧化二铝、五氧华二铌、硫化锌、三氧化二钇或二氧化锆。
5.一种电容触摸屏的制备方法,其特征在于,包括:
A.提供透明基板;
B.在所述透明基板之上形成双层减反射膜层;
C.在所述双层减反射膜层之上形成透明电极层;
以及
D.在所述透明电极层之上形成高折射率遮蔽层,
其中,所述步骤B进一步包括:
B1.形成高折射率材料层;以及
B2.在所述高折射率材料层之上形成二氧化硅层,
其中,所述步骤C进一步包括:
C1.在所述双层减反射膜层之上沉积透明导电材料;
C2.刻蚀以形成多个透明电极和多个所述透明电极之间的透明电极膜刻蚀区;以及
C3.在所述多个透明电极附近形成透明电极引线。
6.如权利要求5所述的电容触摸屏的制备方法,其特征在于,所述透明电极层的材料为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌或掺氟氧化锡。
7.如权利要求5所述的电容触摸屏的制备方法,其特征在于,所述高折射率遮蔽层与所述透明电极层的折射率相近似,所述高折射率遮蔽层为二氧化钛、三氧化二铝、五氧华二铌、硫化锌、三氧化二钇或二氧化锆。
8.如权利要求5所述的电容触摸屏的制备方法,其特征在于,所述高折射率材料层与所述透明电极层的折射率相近似,所述高折射率材料层为二氧化钛、三氧化二铝、五氧华二铌、硫化锌、三氧化二钇或二氧化锆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210548245.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:烘干机
- 下一篇:一种制备免训练铁锰硅基形状记忆合金的方法





