[发明专利]一种预对位调试方法

说明书

技术领域

本申请涉及半导体制造设备领域，特别涉及一种预对位调试方法。

背景技术

随着半导体应用的范围越来越广泛，大量的半导体产品被生产。在制造半导体的光刻步骤中，硅片的预对位过程对光刻机台的精度要求特别高。

硅片对位过程：预对位过程发生在硅片装入的时候，用以判断硅片的平边（切口位置），在硅片低速旋转时，平边处发光二极管的光就能够通过，通过其对面的传感器探测光强的变化，经光电转换后就可以将硅片的中心和平边确定下来。一次光刻时，会在硅片上留下供以后层次定位用的对位标记。从二次光刻起，各层次的对位是根据掩膜版文件上给定的前层次的对位标记的坐标，通过移动硅片相对基准标记来确定坐标。但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

由于现有技术中的光刻机台的预对位装置的硬件定位系统是固定不变的，而需要生产的硅片产品的规格又是不一样的，比如薄片和厚片，薄片平边距离与厚片差异近100000um，其平边直径差异2000um，所以厚薄片的预对位过程对定位系统的要求不一样，导致薄片产品局限于单台作业，套刻Search标记需人为辅助、无法套刻厚片的定位系统，出现薄片与厚片生产不能兼容作业的技术问题。

发明内容

本申请实施例通过提供一种预对位调试方法，用以解决现有技术不能使用同一曝光机台对厚片和薄片作业的技术问题。

本申请实施例提供一种预对位调试方法，包括：

获取一预设电压值，所述预设电压值为置放在所述电子设备的工作台上的一薄片对应的第一电压值与置放在所述电子设备的工作台上的一厚片对应的第二电压值的平均电压值；

检测获得第一操作，响应所述第一操作，根据所述预设电压值校正所述电子设备的第三电压值，使得所述第三电压值与所述预设电压值之间的电压差在一预设电压范围内；

检测所述厚片在所述电子设备的工作台上的平边位置，获得第一位置信息，检测所述薄片在所述电子设备的工作台上的平边位置，获得第二位置信息；

检测获得第二操作，响应所述第二操作，根据所述第一位置信息校正所述第二位置信息，使得校正后的所述第二位置信息与所述第一位置信息之间的角度差在一预设角度范围内。

可选的，在所述检测获得第二操作，响应所述第二操作，根据所述第一位置信息校正所述第二位置信息之后，所述方法还包括：

检测获得第三操作，响应所述第三操作，生成用于延长所述电子设备的工作台Y方向行程的第一指令，所述第三操作为拆卸所述电子设备的工作台Y方向的气缸行程档板的操作。

可选的，在所述检测获得第三操作，响应所述第三操作，生成用于延长所述电子设备的工作台的Y方向行程的第一指令之后，所述方法还包括：

检测获得第四操作，响应所述第四操作，生成用于使所述薄片与所述厚片的预对位中心控制在一预设长度范围内的第二指令，所述第四操作为调节所述电子设备的工作台Y向预置滚轮间距的操作。

可选的，在所述检测获得第四操作，响应所述第四操作，生成用于使所述薄片与所述厚片的预对位中心控制在一预设长度范围内的第二指令之后，所述方法还包括：

当有一硅片需要被制作成为所述厚片或者薄片，并且所述硅片被置放在所述电子设备的工作台上时，检测获得第五操作，响应所述第五操作，生成用于固定所述硅片的第三指令，所述第五操作为分别从所述电子设备工作台的Y、X、T三个方向固定述硅片的操作。

可选的，在所述检测获得第五操作，响应所述第五操作，生成用于固定所述硅片的第三指令之后，所述方法还包括：

对置放在所述电子设备的工作台上的一薄片和一厚片分别进行检测；

获得预设次数内的检测结果；

根据所述检测结果，校正所述电子设备的软件参数。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

（1）由于在本申请实施例中，采用根据厚片与薄片单独在机台作业的电压平均值来调整机台的电压值，使得机台的电压值能够同时满足厚薄片作业，根据厚片在机台上的平边位置来调整薄片在机台上的平边位置，使得机台的定位系统能够同时对厚薄片的平边定位，解决了现有技术中存在的不能使用制造厚片的机台来作业薄片的技术问题，实现了对厚片与薄片兼容性作业的技术效果。