[发明专利]一种阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201210546659.8 | 申请日: | 2012-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN103022052A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
| 发明(设计)人: | 陈曦;袁剑峰;郑强;林承武 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括显示区域,其特征在于,所述显示区域外围设有多个公共电极区块,所述公共电极区块通过像素电极跨接线图形导通。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极跨接线图形下设置有金属层跨接线图形,所述金属层跨接线图形下方设置有有源层跨接线图形,所述有源层跨接线图形下方和所述公共电极区块上方设置有绝缘层,所述像素电极跨接线图形通过设置在所述绝缘层上的过孔将所述公共电极区块导通。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述金属层跨接线图形和所述像素电极跨接线图形之间设置有保护层跨接线图形,其中所述保护层跨接线图形为保护层通过构图工艺形成的图形,所述保护层覆盖所述公共电极区块上方的所述绝缘层。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极区块为等间隔设置。
5.根据权利要求1~3的任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极跨接线图形的长度均相等。
6.根据权利要求1~3的任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极跨接线图形与所述公共电极区块的宽度相同。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~6任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





