[发明专利]一种化学机械抛光液在审
申请号: | 201210546342.4 | 申请日: | 2012-12-17 |
公开(公告)号: | CN103865402A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 尹先升;王雨春 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;C23F3/04 |
代理公司: | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 | ||
1.一种化学机械抛光液,其特征在于,包括化学添加剂、研磨粒子、氧化剂、络合剂和腐蚀抑制剂。
2.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所选化学添加剂选自聚羧酸类化合物、有机膦酸类化合物或聚乙烯吡咯烷酮(PVP)类化合物中一种或多种。
3.如权利要求2所述的抛光液,其特征在于,所述聚羧酸类化合物为聚羧酸及其盐类化合物。
4.如权利要求3所述的抛光液,其特征在于,所述聚羧酸类化合物选自聚环氧琥珀酸纳(PESA),聚丙烯酸(PAA),马来酸-丙烯酸共聚物(MA-AA),聚丙烯酸钠(PAAS),水解聚马来酸酐(HPMA)中的一种或多种。
5.如权利要求2所述的抛光液,其特征在于,所述有机膦酸类化合物为有机膦酸及其盐类化合物。
6.如权利要求5所述的抛光液,其特征在于,所述有机膦酸类化合物选自氨基三甲叉膦酸(ATMP)、羟基乙叉二膦酸(HEDP)、乙二胺四甲叉膦酸(EDTMPA)、二乙烯三胺五甲叉膦酸(DTPMPA)、乙二胺四甲叉膦酸钠(EDTMPS)2-羟基膦酰基乙酸(HPAA)中的一种或多种。
7.如权利要求2所述的抛光液,其特征在于,所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)类化合物为相对分子量为1000-10000000范围内的一种或多种聚合物。
8.如权利要求7所述的抛光液,其特征在于,所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)类化合物的K值为15、17、25、30和/或90。
9.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的研磨粒子为氧化铈研磨颗粒。
10.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述研磨粒子的平均粒径为80-300纳米。
11.如权利要求10所述的抛光液,其特征在于,所述研磨粒子的平均粒径为120-280纳米。
12.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述研磨粒子的浓度为0.25-2.5wt%。
13.如权利要求12所述的抛光液,其特征在于,所述研磨粒子的浓度为0.5-1.5wt%。
14.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的氧化剂选自过氧化氢、碘酸钾、过硫酸铵、过硫酸钾或硝酸铵中的一种或多种。
15.如权利要求14所述的抛光液,其特征在于,所述的氧化剂选自过硫酸铵或碘酸钾。
16.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述的氧化剂浓度为0.01-0.5wt%。
17.如权利要求16所述的抛光液,其特征在于,所述的氧化剂浓度为0.05-0.1wt%。
18.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述络合剂选自L-精氨酸、氨基乙酸、柠檬酸、乙二胺、醋酸中的一种或多种。
19.如权利要求18所述的抛光液,其特征在于,所述络合剂选自醋酸、乙二胺和/或氨基乙酸。
20.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述络合剂的浓度为0.01-1wt%。
21.如权利要求20所述的抛光液,其特征在于,所述络合剂的浓度为0.1-0.25wt%。
22.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述腐蚀抑制剂选自苯并三氮唑类化合物。
23.如权利要求22所述的抛光液,其特征在于,所述腐蚀抑制剂为苯并三氮唑和/或3-氨基-1、2、4-三氮唑。
24.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述腐蚀抑制剂的浓度为0.01-0.1wt%。
25.如权利要求24所述的抛光液,其特征在于,所述腐蚀抑制剂的浓度为0.05-0.1wt%。
26.如权利要求1所述的抛光液,其特征在于,所述化学添加剂的浓度为0.1-1.5wt%。
27.如权利要求1-26任一项所述的抛光液,其特征在于,所述抛光液的pH值范围为6.0-11.0。
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