[发明专利]液晶显示面板的像素结构及像素形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示面板的像素结构及像素形成方法，特别是涉及一种可简化高开口率液晶显示面板制程的像素结构及像素形成方法。

背景技术

请参考图1，图1是公知液晶显示面板的像素结构的示意图。如图1所示，液晶显示面板的像素结构100包括一第一基板110及一第二基板120。第一基板110上形成有一彩色滤光层112，彩色滤光层112包括多个滤光区块114(例如红色滤光区块、绿色滤光区块、蓝色滤光区块)，用以过滤光线，及多个遮光区块116用以阻隔光线。遮光区块116上形成有一主间隔单元(mainphoto spacer)PS1及一子间隔单元(sub photo spacer)PS2。第二基板120上形成有一薄膜晶体管TFT。而覆膜层(over coat)122是形成且覆盖于薄膜晶体管TFT及第二基板120的上方。覆膜层122的上表面大致平坦，覆膜层122具有一穿孔124，形成于薄膜晶体管TFT的一侧。覆膜层122上形成有一透明导电层126。由于主间隔单元PS1及子间隔单元PS2可于第一基板110及一第二基板120之间形成空隙，因此液晶材料可填充于第一基板110及一第二基板120之间，以形成一液晶层130。

依据上述配置，薄膜晶体管TFT可施加电压于液晶层130，以驱动液晶转动，进而显示图像。

在液晶滴下(one drop fill,ODF)制程中，为了增加液晶显示面板的开口率(aperture ratio)，子间隔单元PS2和下方的透明导电层126之间需具有空隙，因此子间隔单元PS2的长度要比主间隔单元PS1的长度短。为了使主间隔单元PS1和子间隔单元PS2的长度不同，在形成主间隔单元PS1和子间隔单元PS2于遮光区块116上时，必须利用半色调光罩(halftone mask)制程来使子间隔单元PS2的长度比主间隔单元PS1的长度短。

然而，当上述像素结构应用于不同的液晶显示面板时，第一基板110和彩色滤光层112所形成的彩色滤光片需使用不同的半色调光罩来形成长度不同的主间隔隔单元和子间隔单元，进而增加了高开口率(high aperture ratio,HAR)液晶显示面板的产品开发复杂度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：为了弥补现有技术的不足，提供一种液晶显示面板的像素结构，包括一第一基板；一彩色滤光层，形成于所述第一基板上，所述彩色滤光层包括多个滤光区块用以过滤光线，及多个遮光区块用以阻隔光线；一主间隔单元，形成于所述多个遮光区块的一遮光区块上；一子间隔单元，形成于所述多个遮光区块的另外一遮光区块上；一第二基板；一薄膜晶体管，形成于所述第二基板上；一覆膜层，形成于所述薄膜晶体管及所述第二基板的上方；及一液晶层，位于所述第一基板和所述第二基板之间；其特征在于，所述覆膜层邻近所述主间隔单元的上表面到所述第二基板的距离大于所述覆膜层邻近所述子间隔单元的上表面到所述第二基板的距离。

本发明还提供一种液晶显示面板的像素形成方法，其特征在于，包括形成一彩色滤光层，于一第一基板上，所述彩色滤光层包括多个滤光区块，用以过滤光线，及多个遮光区块，用以阻隔光线；形成一主间隔单元及一子间隔单元于所述多个遮光区块上；形成一薄膜晶体管于一第二基板上；形成一覆膜层于所述薄膜晶体管及所述第二基板上，所述覆膜层邻近所述主间隔单元的上表面到所述第二基板的距离大于所述覆膜层邻近所述子间隔单元的上表面到所述第二基板的距离，且所述覆膜层具有一穿孔，形成于所述薄膜晶体管的一侧，所述穿孔的底部到所述第二基板的距离小于所述覆膜层邻近所述子间隔单元的上表面到所述第二基板的距离；及形成一液晶层于所述第一基板和所述第二基板之间。

附图说明

图1是公知液晶显示面板的像素结构的示意图。

图2是液晶显示面板的像素示意图。

图3是本发明液晶显示面板的像素结构的示意图。

图4是本发明液晶显示面板的像素形成方法的流程图。

其中，附图标记说明如下：

100,200                    像素

110,210                    第一基板

112,212                    彩色滤光层

114,214                    滤光区块

116,216                    遮光区块

120,220                    第二基板