[发明专利]基板处理方法以及基板处理系统

说明书

技术领域

本发明涉及通过向半导体晶片等基板供给处理液从而对该基板进行处理的基板处理方法以及根据该方法对所述基板进行基板处理的基板处理系统。

背景技术

以往，已知有如专利文献1公开的基板表面处理装置。在该基板处理装置中，向对半导体等的基板进行处理的处理装置(旋转涂布机，spinner)供给处理液，进行基板的蚀刻处理。然后，回收该处理废液将其再利用于该基板的处理。并且，根据回收的处理废液的液中的成分浓度的变化补给新的处理液。例如，使用含有氢溴酸的蚀刻处理液作为处理液的情况时，利用电导率计检测出处理废液中的氢溴酸浓度的减少，然后补给氢溴酸浓度高于该处理废液的蚀刻处理液的原液。另外，利用吸光测定计检测出因蚀刻而溶解的物质、例如溶解铟浓度的增大，从而补给不含有铟的蚀刻处理液的原液。

通过这种基板表面处理装置，根据回收的处理废液中的成分浓度的变化来补给处理液的原液，因此即使在基板的处理中反复利用处理液，也能够维持其性能。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-338684号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，如所述以往的基板表面处理装置那样利用处理液对基板进行处理时，期望其处理效率高。一般而言，若处理液中的直接有助于基板处理的成分的浓度越高，则能够更有效地进行基板处理。但是，使用高浓度的处理液的情况时，为了维持该高浓度处理液的性质，反复进行新处理液的原液补给的次数增多。因此，处理液(原液)的利用效率未必是良好的，另外，也会导致成本的上升。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其提供一种即使未特别使用高浓度的处理液也能够高效地进行基板的处理的基板处理方法以及基板处理系统。

用于解决课题的手段

本发明的基板处理方法是一种在基板处理机构中使用处理液对基板进行处理的基板处理方法，其具有：前段步骤，其中，生成含有有助于基板处理的活性化的活性种的活性种含有溶液；第1步骤，其中，将所述前段步骤中生成的所述活性种含有溶液和对所述基板进行处理的处理液进行混合从而生成活性种含有处理液；第2步骤，其中，将所述第1步骤中生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；在所述基板处理机构中，为如下构成：通过所述活性种含有处理液和所述基板的反应一边生成活性种一边对该基板进行处理。

因这种构成，生成了含有有助于基板处理的活性化的活性种的活性种含有溶液，由该活性种含有溶液和基板处理液混合而成的活性种含有处理液作为对基板处理机构中的基板进行处理的处理液而被供给，因此在基板处理机构中，从一开始就在活性种存在的条件下利用处理液对基板进行处理。

特别是所述基板处理机构进行作为所述基板的硅制基板的蚀刻处理的情况时，所述前段步骤生成含有作为所述活性种的亚硝酸(HNO₂)的亚硝酸含有溶液；所述第1步骤将所述亚硝酸含有溶液与含有氢氟酸(HF)和硝酸(HNO₃)的蚀刻处理溶液进行混合从而生成活性种含有蚀刻处理液；所述第2步骤将所述第1步骤中生成的所述活性种含有蚀刻处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；在所述基板处理机构中，可以为如下构成：通过所述活性种含有蚀刻处理液和所述硅制基板的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO₂)一边对该硅制基板进行蚀刻处理。

因这种构成，生成了含有作为有助于硅制基板的蚀刻处理的活性化的活性种的亚硝酸(HNO₂)的亚硝酸含有溶液，由该亚硝酸含有液和含有氢氟酸(HF)和硝酸(HNO₃)的蚀刻处理液混合而成的活性种混合蚀刻处理液作为对基板处理机构中的硅制基板进行蚀刻处理的处理液而被供给，因此在基板处理机构中，从一开始就在作为活性种的亚硝酸(HNO₂)的存在下利用蚀刻处理液对硅制基板进行处理。

另外，本发明的基板处理系统具有：基板处理机构，其中，使用处理液对基板进行处理；存液机构，其中，预先储存活性种含有溶液，该活性种含有溶液含有有助于基板处理的活性化的活性种；处理液生成机构，其中，对预先储存在所述存液机构的所述活性种含有溶液和对所述基板进行处理的处理液进行混合从而生成所述活性种处理液；处理液供给机构，其中，将该处理液生成机构中生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；在所述基板处理机构中，为如下构成：通过所述活性种含有处理液和所述基板的反应一边生成活性种一边对该基板进行处理。