[发明专利]基板处理方法以及基板处理系统有效
申请号: | 201210544384.4 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103165411A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 林航之介;松井绘美;中野晴香 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;庞东成 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 系统 | ||
1.一种基板处理方法,其是在基板处理机构中使用处理液对基板进行处理的基板处理方法,该基板处理方法具有:
前段步骤,其中,生成含有有助于基板处理的活性化的活性种的活性种含有溶液;
第1步骤,其中,将该前段步骤中生成的所述活性种含有溶液和对所述基板进行处理的处理液进行混合从而生成活性种含有处理液;和
第2步骤,其中,将该第1步骤中生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构;
在所述基板处理机构中,通过所述活性种含有处理液和所述基板的反应一边生成活性种一边对该基板进行处理。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其具有:
处理液回收步骤,其中,对在所述基板处理机构中对所述基板进行处理后的活性种含有处理液进行回收;
处理液返回步骤,其中,将由该处理液回收步骤回收的所述活性种含有处理液作为所述处理液返回至所述基板处理机构;
判定步骤,其中,对所述基板处理机构中所使用的活性种含有处理液作为对所述基板进行处理的处理液是否有效进行判定;
第3步骤,其中,当通过该判定步骤所述活性种含有处理液被判定为作为对所述基板进行处理的处理液无效时,将所述基板处理机构中使用了的所述活性种含有处理液与作为新的活性种含有溶液的新处理液进行混合,生成新的活性种含有处理溶液;和
第4步骤,其中,将由该第3步骤生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,在所述前段步骤中,在所述基板处理机构中对与所述基板同种类的预定基板供给所述处理液,通过该处理液和所述预定基板的反应一边生成活性种一边对该预定基板进行处理,将由此生成的处理液作为所述活性种含有溶液。
4.如权利要求1所述的基板处理方法,所述基板处理机构进行作为所述基板的硅制基板的蚀刻处理,其中,
所述前段步骤生成含有作为所述活性种的亚硝酸(HNO2)的亚硝酸含有溶液;
所述第1步骤将所述亚硝酸含有溶液与含有氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的蚀刻处理溶液进行混合从而生成活性种含有蚀刻处理液;
所述第2步骤将所述第1步骤中生成的所述活性种含有蚀刻处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构;
所述基板处理机构中,通过所述活性种含有蚀刻处理液和所述硅制基板的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO2)一边对该硅制基板进行蚀刻处理。
5.如权利要求4所述的基板处理方法,其具有:
蚀刻处理液回收步骤,其中,对在所述基板处理机构中对所述硅制基板进行处理后的所述活性种含有蚀刻处理液进行回收;
蚀刻处理液返回步骤,其中,将由该蚀刻处理液回收步骤回收的所述活性种含有蚀刻处理液作为所述蚀刻处理液返回至所述基板处理机构;
判定步骤,其中,对所述基板处理机构中所使用的活性种含有蚀刻处理液作为对所述硅制基板进行处理的所述蚀刻处理液是否有效进行判定;
第3步骤,其中,当通过该判定步骤所述活性种含有蚀刻处理液被判定为作为对所述硅制基板进行处理的所述蚀刻处理液无效时,将所述基板处理机构中使用了的所述活性种含有蚀刻处理液与作为新的活性种含有溶液的新蚀刻处理液进行混合,生成新的活性种含有蚀刻处理溶液;和
第4步骤,其中,将由第3步骤生成的所述活性种含有蚀刻处理液作为所述蚀刻处理液供给至所述基板处理机构。
6.如权利要求4或5所述的基板处理方法,其中,在所述前段步骤中,在所述基板处理机构中对预定硅制基板供给所述蚀刻处理液,通过该蚀刻处理液和所述预定硅制基板的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO2)一边对该预定硅制基板进行处理,将由此生成的蚀刻处理液作为所述活性种含有蚀刻处理液。
7.如权利要求6所述的基板处理方法,其中,所述预定硅制基板是对表面进行了粗面化的硅制基板或表面被氧化膜覆盖的硅制基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造