[发明专利]量化存储器位单元的读取和写入裕量

说明书

技术领域

本发明总体上涉及集成电路，更具体地，涉及有利于存储器电路的读取和写入裕量评估的内置电路。

背景技术

静态随机存取存储器（SRAM）是一种在数字系统和计算机中众所周知并广泛使用的功能块。在操作中，将数据写入SRAM，该数据存储在存储器位单元中，从存储器位单元读取数据并以SRAM输出的形式传送。SRAM被称为易失性存储器，因为一旦切断存储器的电源，存储在其中的数据就会丢失。

半导体制造技术的提高已经使得SRAM部件或存储器芯片的生产越来越紧密、越来越快速。

要注意的是，“SRAM”经常用于指芯片或集成电路，主要是一种存储器装置。本领域的技术人员了解，SRAM不仅指存储器芯片，还指嵌入更大的芯片并形成更大的芯片的一部分的静态存储器电路，该静态存储器电路转而可以具有其他各种电路和功能。其他电路可以被称为外围电路。

无论SRAM是被实现为存储器芯片还是作为更大的芯片的一部分的电路块，通常都要对组成这些存储器的电路进行测试以确保产品按照其规格生产。

通常的做法是以几种方式对存储器电路进行测试，包括但不限于将逻辑1和0写入存储器阵列的可寻址位置的模式以及对它们进行回读的模式。尽管这样的测试过程可以验证存储器电路的功能正确性，这些测试并不一定为被测存储器提供鲁棒性或操作裕量的测量。

需要的是一种有利于存储器电路的读取和写入裕度评估的方法和装置。

发明内容

本发明提供了一种操作集成电路的方法，集成电路具有外围电路并具有包括多个位单元和与多个位单元耦接的至少一个字线的存储器阵列，该方法包括：在标称电压下操作外围电路；在正常的存储器事务期间，在标称电压下操作多个位单元和字线；在读取裕量测试操作期间，在大于多个位单元的工作电压的电压下操作字线驱动器；以及在写入裕量测试操作期间，在小于多个位单元的工作电压的电压下操作字线驱动器。

优选地，该方法还包括：通过设置在集成电路内的电路，确定是否要进行读取裕量测试操作。

优选地，该方法还包括：通过设置在集成电路内的电路，确定是否要进行写入裕量测试操作。

优选地，位单元是静态位单元。

优选地，字线与至少一个位单元的至少一个存取晶体管耦接。

本发明还提供了一种操作包括存储器的集成电路的方法，该方法包括：为多个位单元中的每一个位单元的供电轨提供第一电压源的输出；以及为至少一个字线驱动器的供电轨提供第二电压源的输出；其中，在写入裕量测试操作期间，第二电压源的输出的电压小于第一电压源的输出的电压；其中，在读取裕量测试操作期间，第二电压源的输出的电压大于第一电压源的输出的电压；并且其中，在正常的存储器事务期间，第一电压源的输出的电压以及第二电压源的输出的电压标称地相等。

优选地，该方法还包括：通过设置在集成电路内的电路，确定是否要进行读取裕量测试操作。

优选地，该方法还包括：通过设置在集成电路内的电路，确定是否要进行写入裕量测试操作。

优选地，位单元是静态位单元。

优选地，集成电路包括外围电路，该方法还包括：在正常的存储器事务、读取裕量测试以及写入裕量测试期间，在字线驱动器和位单元在正常的存储器事务期间进行操作的同一标称电压下操作外围电路。

本发明还提供了一种电路，包括：至少一个位单元，具有与第一位线耦接的第一输入/输出（I/O）端子以及与第二位线耦接的第二I/O端子，第一I/O端子与第一位线耦接由字线的状态控制，第二I/O端子与第二位线耦接由字线是状态控制；字线驱动器，具有与字线耦接的输出端子；选择器，具有与第一电源节点耦接的第一输入端子、与第二电源节点耦接的第二输入端子、与第一控制信号源耦接的第三输入端子以及与字线驱动器的供电轨耦接的输出端子；以及电压调节器，具有与第三电源节点耦接的第一输入端子、与第二控制信号源耦接的第二输入端子以及与第二电源节点耦接的输出端子。

优选地，多个位单元中的每个位单元包括与第三电源节点耦接的电源轨。

优选地，第一控制信号源提供处于第一状态的第一控制信号以进行存储器写入操作，并提供处于第二状态的第一控制信号以进行存储器读取操作；并且其中，第二控制信号源提供处于第一状态的第二控制信号以进行测试模式操作，并提供处于第二状态的第二控制信号以进行正常的存储器事务。