[发明专利]一种显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201210537805.0 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103022050A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 张洪林;董霆 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及微电子工艺领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
随着液晶显示技术的发展,高清显示产品逐步普及。所谓高清显示,要求单位面积内像素的数量达到一定的要求,即增加单位显示面积的所能显示的信息量。
高清显示技术的发展,伴随着像素设计精细化程度的提升,相应的,连接像素单元的信号线的尺寸便会相应的变窄,在批量生产高清显示产品的过程中,信号线发生断开的频率也会相应增加,降低良品率。信号线发生断开产生的后果通常比较严重,显示屏幕会出现明显的亮线/暗线,我们通常称作DO(信号线断开,Data Open)不良。
现有技术中的信号线区域的结构如图1所示,该图中各个附图标记具体含义如下:
01、玻璃基板;
02、栅绝缘层;
03、半导体层;
04、掺杂半导体;
05、信号线;
06、绝缘层。
由于像素设计精细化要求的限制,我们无法增加信号线05的宽度,在现有工艺条件下,如何从技术上解决DO不良的问题,还没有有效的解决方案。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板,用于避免信号线断开导致的显示不良问题,提高良品率。
本发明实施例提供的一种显示面板包括:玻璃基板、信号线,以及信号线下方的栅绝缘层,该显示面板还包括:位于信号线下方的栅绝缘层和玻璃基板之间的栅极金属层。
较佳的,该显示面板还包括用于将所述栅极金属层与栅极高压相连的连接线。
本发明实施例提供的一种液晶显示器包括:所述显示面板。
本发明实施例提供的一种掩模板包括:
该掩模板在预设的信号线区域上不透光。
本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法包括:
使用物理气相沉积的方法,在玻璃基板上形成栅极金属层;
为该栅极金属层设置用于连接栅极高压的连接线;
在栅极金属层上涂附光刻胶,并使用在预设的信号线区域不透光的掩模板对该光刻胶进行曝光;
显影并刻蚀该栅极金属层;
在栅极金属层上分别形成栅绝缘层、半导体层并掺杂半导体、源漏金属层以及绝缘层。
通过以上技术方案可知,本发明通过保留位于信号线下方的栅绝缘层和玻璃基板之间的栅极金属层,并将该层栅极金属与栅极高压连接;在信号线发生断开时,在断开处形成导电沟道,信号线的信号仍然能够传输到像素单元。避免了因信号线断开导致的显示不良问题,提高了良品率。
附图说明
图1为现有技术中信号线区域的结构示意图;
图2为本发明具体实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图;
图3为本发明具体实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图4为本发明具体实施例提供的一种显示面板的另一结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种显示面板,解决了因信号线断开导致的显示不良问题,提高了良品率。
本发明实施例提供的一种显示面板包括玻璃基板、信号线,以及信号线下方的栅绝缘层,该显示面板还包括:
位于信号线下方的栅绝缘层和玻璃基板之间的栅极金属层。
该显示面板还包括用于将所述栅极金属层与栅极高压相连的连接线。
本发明实施例提供的一种液晶显示器包括所述显示面板。
本发明实施例提供的一种用于生产所述显示面板的掩模板,该掩模板在预设的信号线区域不透光。
通过对该掩模板的改进,在对栅极金属上的光刻胶进行曝光时保留了位于信号线下方的栅绝缘层和玻璃基板之间的栅极金属层。
本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法,包括:
使用物理气相沉积的方法,在玻璃基板上形成栅极金属层;
为该栅极金属层设置用于连接栅极高压的连接线;
在栅极金属层上涂附光刻胶,并使用在预设的信号线区域不透光的掩模板对该光刻胶进行曝光;
显影并刻蚀该栅极金属层;
在栅极金属层上分别形成栅绝缘层、半导体层并掺杂半导体、源漏金属层以及绝缘层。
较佳的,在形成源漏金属层后,该方法还包括:
光刻并刻蚀栅极金属上方的源漏金属层,形成源极和漏极。
较佳的,在形成绝缘层后,该方法还包括像素单元的制作:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210537805.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的