[发明专利]一种掩膜板以及利用掩膜板构图的方法有效

专利信息
申请号: 201210537377.1 申请日: 2012-12-12
公开(公告)号: CN103033975A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 许志军;齐勤瑞;肖洋;王恒英 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G03F1/00;G03F7/20
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 掩膜板 以及 利用 构图 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种掩膜板以及利用掩膜板构图的方法。

背景技术

现有技术,彩膜基板上形成有黑矩阵膜层、彩色膜层、保护膜层以及隔垫物膜层。其中,黑矩阵膜层包括:黑矩阵图案;彩色膜层包括:像素图案;隔垫物膜层包括:隔垫物。黑矩阵图案、像素图案以及隔垫物在形成过程中均要通过一次曝光,但由于受曝光机曝光尺寸的大小限制,经过一次曝光只能形成一定尺寸大小的图案。想要制作更大尺寸的彩膜基板,对于像素图案和隔垫物,由于其不是一体的,可以通过多次曝光完成。但黑矩阵是一体的,经过多次曝光形成黑矩阵图案之间存在拼接缝,从而容易发生漏光现象,严重影响显示质量。因此现有技术中,经过一次曝光形成的黑矩阵图案多大,那么彩膜基板就可以做相应大小的尺寸。例如,现有的玻璃基板尺寸可以为2200*2500mm,但由于受曝光机曝光区域的大小限制,经过一次曝光最大形成1120*1300mm大小的彩膜基板。

按照传统的做法,要实现制造大尺寸的彩膜基板,需要扩大掩膜板以及曝光区域,即要制造具有更大曝光区域的曝光机,其制造成本巨大,且在技术上也不能设计无限大的曝光机。

发明内容

本发明的实施例提供一种掩膜板以及利用掩膜板构图的方法,通过利用所述掩膜板对基板进行多次曝光可形成一体的大尺寸图案,应用于彩膜基板制造领域,可用于形成一体的黑矩阵图案,进而可用于制作大尺寸的彩膜基板。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

本发明实施例提供了一种掩膜板,包括至少一个掩膜单元组,每一个所述掩膜单元组为一排,包括位于一端的一个第一掩膜单元,位于另一端的一个第二掩膜单元,以及位于两端之间的至少一个第三掩膜单元;

每一所述掩膜单元设置有掩膜图案;每一所述掩膜单元的掩膜图案在靠近其相邻的掩膜单元的一边,在掩膜图案轮廓下包括多个微小图案和空隙,且相邻的两个掩膜单元的掩膜图案在相互靠近的两边上的微小图案和空隙相吻合;所述至少一个第三掩膜单元包括:靠近所述第一掩膜单元的第一边和靠近所述第二掩膜单元的第二边,且所述第一边、第二边上的微小图案和空隙相吻合。

可选的,同一掩膜单元组中,第三掩膜单元的面积之和大于第一掩膜单元的面积,并大于第二掩膜单元的面积。

可选的,所述掩膜板包括两个以上掩膜单元组;若其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角靠近另一个掩膜单元组,且对应所述另一个掩膜单元组中一个掩膜单元的一边,则所述其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角与所述另一个掩膜单元组中一个掩膜单元的一边,三者相对应部分的微小图案和空隙相吻合;或者,

若其中一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角靠近另一个掩膜单元组,且对应所述另一个掩膜单元组中两个掩膜单元相邻的两个顶角,则相对应的四个顶角的微小图案和空隙相吻合。

可选的,所述掩膜板包括两个以上掩膜单元组,且每个掩膜单元组包括的掩膜单元的个数相同。

可选的,不同掩膜单元组中的相同掩膜单元在第一方向上的长度相同,所述第一方向为与所述排平行的方向。

可选的,各个所述掩膜单元为矩形,且同一掩膜单元组中,各个掩膜单元在第二方向上的宽度相同,所述第二方向为与所述排垂直的方向。

可选的,所述掩膜板包括三个以上掩膜单元组,按照其排列顺序依次为:位于第一排的第一掩膜单元组、位于最后一排的第二掩膜单元组以及位于第一排和最后一排之间的至少一个第三掩膜单元组;

其中每一个第三掩膜单元组的掩膜单元包括:靠近第一掩膜单元组的第三边和靠近第二掩膜单元组的第四边,且所述第三边、第四边上的微小图案和空隙相吻合。

可选的,所述第三掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和大于第一掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和,并大于第二掩膜单元组中第三掩膜单元的面积之和。

本发明实施例提供了一种利用掩膜板构图的方法,所述掩膜板为本发明实施例提供的任一所述的掩膜板,利用所述掩模板构图的方法包括:

利用所述掩膜板中任一掩膜单元组中的第一掩膜单元对形成有薄膜的基板进行一次曝光,形成与所述第一掩膜单元中的掩膜图案相应的第一图案;

按照所述掩膜单元组中掩膜单元的排列方向,利用所述掩膜单元组中的至少一个第三掩膜单元对所述形成有薄膜的基板进行至少两轮曝光,形成至少两组与所述第三掩膜单元的掩膜图案一一对应的第三图案;每两个第三图案相邻的边相吻合;

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