[发明专利]阵列基板、制作方法及显示装置有效
申请号: | 201210534066.X | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN103022033A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 马禹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,尤其涉及一种阵列基板、制作方法及显示装置。
背景技术
随着光电显示技术的日益成熟,用户对显示装置的品质提出了越来越高的要求。液晶显示装置因其寿命长、光效高、低辐射、低功耗的特点,逐渐取代了传统射线管显示装置而成为了近年来显示装置产品主流的研究方向。
其中在显示装置内部,显示面板上的所需信号是由驱动IC(Integrated circuit,集成电路)芯片提供,信号经由分布在显示面板内部的连接线传输到各像素区域线。但发明人在研发过程中发现现有技术至少存在以下缺陷:驱动IC在将信号通过连接线传输给像素区域时,由于各像素区域分布位置的不同,驱动IC到像素区域的距离也各不相同,因此连接驱动IC及像素区域的连接线长短各不相同。因此不同连接线之间的电阻值有着很大差异,IC近端像素和IC远端像素的信号衰减情况也不一致,最终使得显示面板的显示效果并不理想。
发明内容
本发明的实施例所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板、制作方法及显示装置,能够减小各条连接线之间电阻值的差异,进而提高显示面板的显示效果。
为解决上述技术问题,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明提供了一种阵列基板,包括:
驱动集成电路IC、像素区域以及连接所述驱动IC与所述像素区域的数条长度不等的连接线,所述连接线包括金属线和电阻线,其中,
所述电阻线与所述金属线串联连接,或者,
所述电阻线与所述金属线的一部分并联连接。
进一步的,各条所述连接线的电阻总值之间偏差小于或者等于0.1%。
进一步的,各条所述连接线的电阻总值相同。
进一步的,所述金属线与所述电阻线位于不同层,且所述金属线与所述电阻线之间具有绝缘层,所述金属线与所述电阻线通过过孔相连接。
进一步的,所述金属线与所述电阻线位于相邻的两层或同层,所述金属线与所述电阻线通过界面物理接触的方式相连接。
优选的,所述电阻线的材料为所述像素区域的像素电极材料。
另一方面,本发明还提供了一种显示装置,包括上述的阵列基板。
再一方面,本发明还提供了一种阵列基板的制作方法,包括通过构图工艺形成包括连接线的图像,所述连接线的图形包括金属线的图形和电阻线的图形,其中,
所述电阻线与所述金属线串联连接,或者,
所述电阻线与所述金属线的一部分并联连接。
进一步的,所述连接线为连接扫描驱动集成电路IC与像素区域的扫描线时,所述方法包括:
形成金属线的图形;
形成电阻线的图形,所述金属线与所述电阻线通过界面物理接触的方式相连接;
形成第一绝缘层;
形成数据线的图形。
进一步的,所述连接线为连接扫描驱动集成电路IC与像素区域的扫描线时,所述方法包括:
形成金属线的图形;
形成第三绝缘层,通过构图工艺形成过孔图形;
形成电阻线的图形,使得所述金属线与所述电阻线通过所述过孔相连接;
形成第一绝缘层;
形成数据线的图形。
进一步的,所述连接线为连接数据驱动集成电路IC与像素区域的数据线时,所述方法包括:
形成扫描线的图形;
形成第二绝缘层;
形成金属线的图形;
形成电阻线的图形,所述金属线与所述电阻线通过界面物理接触的方式相连接。
进一步的,所述连接线为连接数据驱动集成电路IC与像素区域的数据线时,所述方法包括:
形成扫描线的图形;
形成第二绝缘层;
形成金属线的图形;
形成第四绝缘层,通过构图工艺形成过孔图形;
形成电阻线的图形,使得所述金属线与所述电阻线通过所述过孔相连接。
本发明实施例的阵列基板、制作方法及显示装置,连接驱动IC与像素区域的连接线包括金属线和电阻线,电阻线与金属线串联连接,或者,电阻线与金属线的一部分并联连接,能够改变各条连接线上的电阻值,使得各条连接线之间的电阻值差异变小,进而提高显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的