[发明专利]阵列基板、制作方法及显示装置有效
申请号: | 201210534066.X | 申请日: | 2012-12-11 |
公开(公告)号: | CN103022033A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 马禹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:驱动集成电路IC、像素区域以及连接所述驱动集成电路IC与所述像素区域的数条长度不等的连接线,其特征在于,所述连接线包括金属线和电阻线,其中,
所述电阻线与所述金属线串联连接,或者,
所述电阻线与所述金属线的一部分并联连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,各条所述连接线的电阻总值之间偏差小于或者等于0.1%。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,各条所述连接线的电阻总值相同。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述金属线与所述电阻线位于不同层,且所述金属线与所述电阻线之间具有绝缘层,所述金属线与所述电阻线通过过孔相连接。
5.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述金属线与所述电阻线位于相邻的两层或同层,所述金属线与所述电阻线通过界面物理接触的方式相连接。
6.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述电阻线的材料为所述像素区域的像素电极材料。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括通过构图工艺形成包括连接线的图像,所述连接线的图形包括金属线的图形和电阻线的图形,其中,
所述电阻线与所述金属线串联连接,或者,
所述电阻线与所述金属线的一部分并联连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述连接线为连接扫描驱动集成电路IC与像素区域的扫描线时,所述方法包括:
形成金属线的图形;
形成电阻线的图形,所述金属线与所述电阻线通过界面物理接触的方式相连接;
形成第一绝缘层;
形成数据线的图形。
10.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述连接线为连接扫描驱动集成电路IC与像素区域的扫描线时,所述方法包括:
形成金属线的图形;
形成第三绝缘层,通过构图工艺形成过孔图形;
形成电阻线的图形,使得所述金属线与所述电阻线通过所述过孔相连接;
形成第一绝缘层;
形成数据线的图形。
11.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述连接线为连接数据驱动集成电路IC与像素区域的数据线时,所述方法包括:
形成扫描线的图形;
形成第二绝缘层;
形成金属线的图形;
形成电阻线的图形,所述金属线与所述电阻线通过界面物理接触的方式相连接。
12.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述连接线为连接数据驱动集成电路IC与像素区域的数据线时,所述方法包括:
形成扫描线的图形;
形成第二绝缘层;
形成金属线的图形;
形成第四绝缘层,通过构图工艺形成过孔图形;
形成电阻线的图形,使得所述金属线与所述电阻线通过所述过孔相连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的