[发明专利]一种新型背接触光伏组件焊带及其制备方法有效
申请号: | 201210533396.7 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN103022204A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 刘亚;苏旭平;王建华;涂浩;彭浩平;吴长军 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 卢亚丽 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 接触 组件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种新型背接触光伏组件用焊带及其制备方法,属于太阳能光伏组件技术领域。
背景技术
常规光伏组件用的焊带是以铜芯为基材,基材的上下两面热浸镀上锡铅合金层。在360℃左右将焊带一端焊接在太阳能电池片上表面的负极主栅上,另外一端焊接在相邻电池片下表面的正极主栅上,从而形成电池片的串联。
而在背接触电池上,电池的正负极都分布在电池片的下表面(背面),特别是正负极往往是交错分布在电池片的背面。此时如果再继续使用常规焊带,要么会使电池片正负极短路从而使电池片失效。
对于背接触电池光伏组件,目前有一种导电背板技术,此种技术将光伏组件的焊带电路和组件的背板结合起来实现组件的封装,此种技术制备出来的组件外观漂亮,性能高。但是其成本在现阶段非常高,必须要用到全自动的组件生产线,综合成本无法和现有技术竞争,目前还没有大量应用。
发明内容
本发明的目的是:针对现有技术中背接触太阳能电池光伏组件存在的上述不足,提供一种新的焊带结构及其制备方法,以及本焊带在背接触光伏组件中的使用方法。
本发明的技术方案为:
一种新型背接触光伏组件焊带,其结构为:以铜芯为基材,在铜芯的上下表面覆盖上一层焊接合金层,在铜芯的下表面覆盖上一层绝缘漆层;根据背接触电池电极图形,在焊带上对应的焊接接触点位置部分镂空,在焊带上形成上下贯通的孔洞。
作为本发明的进一步改进,焊带的焊接合金层成分可以为含铅的锡合金,或含铅、银的锡合金或含铋的锡合金。
作为本发明的进一步改进,焊带的绝缘漆层成分含有可发性聚乙烯或热塑性弹性体或聚氟乙烯或硅基材料。
作为本发明的进一步改进,焊带的绝缘漆层可以脱离于焊带而附着于背接触电池下表面。
作为本发明的进一步改进,焊带孔洞的位置和大小根据背接触电池的电极图形确认。孔洞直径大小为0.5mm至4mm,数目为1至100个。
作为本发明的进一步改进,所述孔洞的作用是为了焊带和焊接点定位,以及焊接所用,其他技术工作者可以根据本焊带原理设计其他图形。
一种新型背接触光伏组件焊带,其制备方法为:
1)准备纯度大于99.999%的铜箔,厚度为20μm至250μm;
2)将铜箔切割成1mm至3cm宽的铜条;
3)将铜箔在560℃至750℃的温度下保温1至10分钟并冷却;
4)将铜箔浸泡在焊接合金池,温度由焊接合金成分决定,时间为1至30秒钟,冷却;
5)在焊带下表面涂覆绝缘漆层;
6)根据电池电极图形,在焊带上合适的位置加工小孔洞。即得所需焊带。
作为本发明的进一步改进,孔洞加工方法可以为机械加工、激光切割加工、化学腐蚀加工。
本发明的有益效果是:采用类似常规焊接方法将背接触电池串联起来,成本较低,与现有产线工艺匹配度较高,易于实现大规模生产。
附图说明
图1是本发明焊带的剖面示意图;
图2是本发明焊带的俯视示意图。
图中:1、铜芯;2、焊接合金层;3、绝缘漆层;4、孔洞;5、焊带。
具体实施方式
以下实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和过程,但本发明的保护范围不限于下述实施例。
实施例1
将本发明应用于背接触组件制备时,操作步骤如下:
1、准备纯度大于99.999%的铜箔,厚度为100μm;
2、将铜箔切割成1cm宽的铜条;
3、将铜箔在600℃的温度下保温10分钟并冷却;
4、将铜箔浸泡在Sn60Pb40焊接合金池,温度由焊接合金成分决定,时间为2秒钟,冷却;
5、在焊带下表面涂覆聚氟乙烯绝缘漆层;
6、根据电池电极图形,在焊带上合适的位置机械加工小孔洞,孔洞直径大小为3mm,数目4个;
7、准备好背接触电池片,将焊带铺设在电池片背面;
8、焊带铺设的时候通过焊带上的孔洞将焊带和电池片上的焊接点定位好;
9、按照常规的手动焊接方法,用电烙铁在焊带表面轻轻划过,电烙铁温度设置根据焊接合金层来决定,一般为350℃。
本案例制备出来的背接触组件,电池片焊接之后拉力测试合格。
实施例2
将本发明应用于背接触组件制备时,操作步骤如下:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的