[发明专利]CMOS延迟电路以及抑制CMOS延迟电路温漂的方法

说明书

技术领域

本发明的各实施方式涉及电子电路，并且更具体地涉及一种CMOS延迟电路以及抑制CMOS延迟电路温漂的方法。

背景技术

在电子线路设计中，经常要用到CMOS反相器。如本领域技术人员所知的，对于CMOS反相器而言，CMOS反相器的延迟特性受到工艺、电压、温度(即PVT)等各种操作条件的影响。图1示出了现有技术的由CMOS反相器串联组成延迟单元的示意图。如图1中的虚线放大部分所示，常规的CMOS反相器通常由两个MOS场效应管组成，其中PM1为PMOS管，NM1为NMOS管。NMOS管的栅源阈值电压为正值，PMOS管的栅源阈值电压为负值。

MOSFET的载流子迁移率μ可以由公式(1)表示：

μ(T)=μ(T0)×[T0T]3/2---(1)]]>

其中T₀为室温，T为实际开氏温度；μ指载流子迁移率；

对MOSFET而言，其阈值电压Vth随温度的关系可以由公式(2)表示：

Vth(T)=Vth(T0)-∂(T-T0)---(2)]]>

其中有T₀＝300K，Vth为MOSFET的阈值电压。

MOSFET的导通电阻R_on由下式表示：

Ron=1μCOXWL|(VGS-Vth)|---(3)]]>

其中，R_on为MOSFET的导通电阻，V_GS为栅源电压，W/L为MOS管的宽长比，C_OX为栅电容的系数。

当例如在锁相环路或振荡器等中时，串联在一起的N个CMOS反相器的电路将产生延时，对应的延时可以由公式(4)表示：