[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法及液晶显示装置。

背景技术

液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）具有功耗低、辐射低及制造成本低等特点，已被广泛应用于各种电子设备中，如显示器、电视、手机、数码相机等数字电子设备。其中，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-LCD）是一种主要的平板显示装置（FPD，Flat PanelDisplay）。

TFT-LCD的阵列基板中的每个像素点都是通过集成在该阵列基板上且与像素点连接的TFT元件来驱动和控制。传统的TFT元件的结构，如图1及图2所示，包括：位于衬底基板10上的栅极11和栅线111，位于栅极11和栅线111上的栅绝缘层12，位于绝缘层12上的有源层13，位于有源层13上的源极14、源极线141及漏极15，位于源极14、源极线141及漏极15上的保护层16，以及位于保护层16上的透明电极17。

由于液晶本身不会发光，而是依靠背光模组将光线射入液晶显示面板，以显示图像。目前，TFT中的有源层一般采用非晶硅（amorphous silicon，α-Si）或多晶硅（polycrystalline silicon，p-Si）等半导体材料，由于半导体材料对光线敏感，因此，光线的照射会影响有源层的性能，会产生光照漏电流，从而影响TFT元件的性能。为了保护有源层，一般需要将TFT的栅极11的尺寸制作得足够大，如图2所示，栅极11的线宽必须不小于有源层13的线宽，从而能够利用栅极11遮挡从背光模组发出的光线，使有源层13不会暴露在从背光模组发出的光线中，但这样会造成栅极11和源极14、漏极15之间的交叠面积变大。

栅极与源极之间的交叠面积变大，导致TFT极间电容C_gs的值增大；栅极和漏极之间的交叠面积变大，导致TFT极间电容C_gd的值增大，而TFT极间电容C_gs和C_gd的值增大，导致馈入（Feed through）电压ΔVp的值增大，从而使TFT-LCD的画面等级（screen grade）降低，从而会导致难以驱动阵列基板中的各像素点。

综上所述，现有的阵列基板中，由于栅极的尺寸较大，导致TFT极间电容C_gs和C_gd的值增大，导致馈入（Feed through）电压ΔVp的值增大，从而使TFT-LCD的画面等级（screen grade）降低。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法及液晶显示装置，用于解决现有技术中存在的由于栅极的尺寸较大，导致TFT极间电容C_gs和C_gd的值增大，导致馈入电压ΔVp的值增大的问题。

本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管，与所述薄膜晶体管连接的栅线，以及位于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间的遮光层，所述遮光层用于遮挡射入有源层中的光线；

其中，所述栅线中作为薄膜晶体管的栅极的线宽小于所述栅线的线宽。

优选的，所述薄膜晶体管的栅极的线宽小于所述有源层的线宽。

优选的，所述遮光层为非透明导电材料，所述阵列基板还包括：位于所述遮光层上的绝缘层。

优选的，所述遮光层设置于所述衬底基板上，且所述遮光层与所述有源层之间包括所述薄膜晶体管的栅极及位于所述栅极上的栅绝缘层。

优选的，所述阵列基板还包括像素电极，其中，所述遮光层与所述阵列基板的像素电极位于同一层，且所述遮光层与所述像素电极采用相同的材料。

优选的，所述遮光层与所述像素电极设置于所述衬底基板上，且所述遮光层与所述有源层之间包括所述薄膜晶体管的栅极及位于所述栅极上的栅绝缘层。

优选的，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的保护层上的公共电极，其中，

所述公共电极包括多个设置于所述保护层上且相互平行的条状电极；

所述像素电极包括多个设置于所述衬底基板上且相互平行的条状电极；

且所述像素电极的任一条状电极与所述公共电极的任一条状电极不重叠。

本发明实施例提供了一种液晶显示装置，包括上述任一阵列基板。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

通过一次构图工艺，在衬底基板上形成的遮光层；