[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和液晶显示装置在审
申请号: | 201210526544.2 | 申请日: | 2012-12-07 |
公开(公告)号: | CN103018989A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 金熙哲;刘圣烈;崔承镇;宋泳锡 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 液晶 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,该阵列基板包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管,以及与所述薄膜晶体管连接的栅线,其特征在于,所述阵列基板还包括:
位于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间的遮光层,所述遮光层用于遮挡射入有源层中的光线,其中,所述薄膜晶体管的栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极的线宽小于所述有源层的线宽。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层为非透明导电材料,所述阵列基板还包括:位于所述遮光层上的绝缘层。
4.如权利要求1~3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层设置于所述衬底基板上,且所述遮光层与所述有源层之间包括所述薄膜晶体管的栅极及位于所述栅极上的栅绝缘层。
5.如权利要1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括像素电极,其中,所述遮光层与所述阵列基板的像素电极位于同一层,且所述遮光层与所述像素电极采用相同的材料。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层与所述像素电极设置于所述衬底基板上,且所述遮光层与所述有源层之间包括所述薄膜晶体管的栅极及位于所述栅极上的栅绝缘层。
7.如权利要求5或6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的保护层上的公共电极,其中,
所述公共电极包括多个设置于所述保护层上且相互平行的条状电极;
所述像素电极包括多个设置于所述衬底基板上且相互平行的条状电极;
且所述像素电极的任一条状电极与所述公共电极的任一条状电极不重叠。
8.一种液晶显示装置,其特征在于,所述液晶显示装置包括如权利要求1~7任一所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,该方法包括:
通过一次构图工艺,在衬底基板上形成的遮光层;
通过构图工艺,在形成有遮光层的衬底基板上依次形成栅线、栅极、栅绝缘层、有源层以及源极和漏极;
其中,所述遮光层用于遮挡射入所述有源层中的光线,所述栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述栅极的线宽小于所述有源层的线宽。
11.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,若所述遮光层为导电材料,在形成遮光层之后且在形成栅极之前,还包括:
通过一次构图工艺,在形成有遮光层的衬底基板上形成绝缘层。
12.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,该方法包括:
通过构图工艺,在衬底基板上依次形成栅线、栅极及栅绝缘层;
通过一次构图工艺,在形成有栅线、栅极及栅绝缘层的衬底基板上形成遮光层;
通过构图工艺,在形成有遮光层的衬底基板上依次形成有源层以及源极和漏极;
其中,所述遮光层用于遮挡射入所述有源层中的光线,所述栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述栅极的线宽小于所述有源层的线宽。
14.如权利要求12或13所述的方法,其特征在于,若所述遮光层为导电材料,在形成遮光层之后且在形成有源层之前,还包括:
通过一次构图工艺,在形成有遮光层的衬底基板上形成绝缘层。
15.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,该方法包括:
通过一次构图工艺,在衬底基板上形成遮光层和像素电极,其中,所述遮光层与所述像素电极采用非透明导电材料;
通过一次构图工艺,在形成有遮光层的衬底基板上形成绝缘层;
通过构图工艺,在形成有绝缘层的衬底基板上依次形成栅线、栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极、保护层及公共电极;
其中,所述遮光层用于遮挡射入所述有源层中的光线,所述栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。
16.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述栅极的线宽小于所述有源层的线宽。
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