[发明专利]用于高电压静电放电防护的双向双极型结晶体管有效

申请号：	201210521409.9	申请日：	2012-12-07
公开（公告）号：	CN103855152A	公开（公告）日：	2014-06-11
发明（设计）人：	陈信良;洪志临;杜硕伦	申请（专利权）人：	旺宏电子股份有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L27/06;H01L21/8249
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	任岩
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	中国台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	用于电压静电放电防护双向双极型结晶体
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种双向双极型结晶体管(BJT)，包含：

一p型衬底；

一N+掺杂埋层，邻近于该衬底而被设置；

一第一P型阱区，邻近于该N+掺杂埋层而被设置；

一第二P型阱区，邻近于该N+掺杂埋层而被设置；

一N型阱区，邻近于该N+掺杂埋层，且围绕该第一和该第二P型阱区，从而使该N型阱区的至少一部分被安插于该第一和该第二P型阱区之间；

第一、第二和第三场氧化物(FOX)部分，邻近于该N型阱区而被设置；以及

第一、第二、第三和第四场板，该第一场板邻近于该第一FOX部分而被设置，该第二和该第三场板邻近于该第二FOX部分的各自部分而被设置，且该第四场板邻近于该第三FOX部分而被设置；

其中该第一和该第二P型阱的每个包含至少一N+掺杂板和至少一P+掺杂板。

2.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该第一P型阱包含第一和第二N+掺杂板以及一第一P+掺杂板，该第一P+掺杂板被安插于该第一和该第二N+掺杂板之间，且邻近于该第一和该第二N+掺杂板；以及

更在其中该第二P型阱包含第三和第四N+掺杂板以及一第二P+掺杂板，该第二P+掺杂板被安插于该第三和该第四N+掺杂板之间，且邻近于该第三和该第四N+掺杂板。

3.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该第一P型阱包含一第一P+掺杂板、第一、第二、第三和第四N+掺杂板、以及第一和第二栅极结构，该第一P+掺杂板被安插于该第二和该第三N+掺杂板之间，且邻近于该第二和该第三N+掺杂板，该第一栅极结构被安插于该第一和该第二N+掺杂板之间，且邻近于该第一和该第二N+掺杂板，并且该第二栅极结构被安插于该第三和该第四N+掺杂板之间，且邻近于该第三和该第四N+掺杂板；以及

更在其中该第二P型阱包含一第二P+掺杂板、第五、第六、第七和第八N+掺杂板、以及第三和第四栅极结构，该第二P+掺杂板被安插于该第六和该第七N+掺杂板之间，且邻近于该第六和该第七N+掺杂板，该第三栅极结构被安插于该第五和该第六N+掺杂板之间，且邻近于该第五和该第六N+掺杂板，并且该第四栅极结构被安插于该第七和该第八N+掺杂板之间，且邻近于该第七和该第八N+掺杂板。

4.根据权利要求3所述的双向双极型结晶体管，其中该多个栅极结构包含一多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的双向双极型结晶体管，其中该多晶硅层在离子注入按照一硬式掩膜而被提供。

6.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该第一、该第二和该第三FOX部分是经由一硅局部氧化(LOCOS)工艺而被制造。

7.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该第一、该第二和该第三FOX部分是经由一浅沟道隔离(STI)工艺而被制造。

8.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该N+埋层包含一n型外延层。

9.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该N+埋层包含一深N型阱。

10.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该N+埋层包含多个叠层的N+埋层。

11.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中每一P型阱包含一叠层的P型阱和P+埋层。

12.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该多个P型阱是经由P型注入而被制造。

13.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该N型阱区是经由N型注入而被制造。

14.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该双向BJT是经由一单层多晶工艺而被制造。

15.根据权利要求1所述的双向双极型结晶体管，其中该双向BJT是经由一双层多晶工艺而被制造。