[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和液晶面板、液晶显示装置。

背景技术

目前常用的平板显示器为液晶显示器，其中，低温多晶硅液晶显示器（LTPS LCD，Low Temperature Poly Silicon Liquid Crystal Display）是液晶显示器中的主流产品。

液晶面板是液晶显示器的重要部件，目前按照如下过程制作液晶面板：

步骤1、首先分别制作阵列（Array）基板和彩膜（CF，Color Filter）基板；

步骤2、通过对盒工艺将彩膜基板和阵列基板进行对盒，形成液晶面板。

其中，对盒工艺可以包括：通过液晶滴注（ODF，One Drop Filling）工艺在阵列基板或者彩膜基板中的任一基板上滴注液晶，在另一基板上涂敷封框胶，将阵列基板和彩膜基板进行对盒形成液晶面板，并对封框胶进行固化处理以使封框胶固化。

如图1所示，其为现有的液晶面板（panel）的结构示意图，包括：显示区域101、分布于该显示区域101四周的驱动电路102、及分布于显示区域101的外围且位于驱动电路102上的框胶区域103；其中，显示区域101包括由多条栅线（Gate line）及多条数据线（Data line）围设而成的多个像素单元，每个像素单元中的像素电极通过与其连接的一个TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）开关进行控制，从而显示图像；驱动电路102中也包括多个TFT，每个TFT与一条不同的栅线或数据线连接，通过TFT器件的控制，将驱动电压加载至对应的栅线或数据线，以实现对栅线或数据线的驱动。

如图2a所示，为现有技术中，阵列基板的周边电路区域的俯视图，图2b为图2a的AA方向截面结构示意图。该TFT依次包括位于玻璃基板20上的缓冲层（buffer）21，位于缓冲层21上的多晶硅层22，位于多晶硅层22上的栅绝缘层23（Gate Insulation，GI），位于栅绝缘层23上的电极绝缘层24，位于栅绝缘层23和电极绝缘层24之间的栅电极层25，以及位于栅电极层25两侧的源电极层26和漏电极层27，位于源电极层26和漏电极层27上的绝缘层28，其中，栅电极层26为金属材料制成。

高PPI（每英寸所拥有的像素）、窄边框是LTPS LCD的发展趋势，这就使集成在显示区域四周的驱动电路所占空间降低，即薄膜晶体管（TFT，Thin Film Transistor）器件密度相对增加，由于驱动电路所包含的TFT器件的栅极为金属材料制成，这使得位于驱动电路的封框胶区域下侧光透过率降低，封框胶固化效果差，引起封框胶与阵列基板和彩膜基板的接触部位出现缝隙，甚至出现封框胶脱落，从而影响了液晶面板的可靠性。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、液晶面板和显示装置，用以提高显示区域周围的驱动电路的透光率，进而增强封框胶的固化强度和粘附性，提高液晶面板的可靠性。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括显示区域和设置于所述显示区域周边的驱动电路，所述显示区域和所述驱动电路均包含至少一个薄膜晶体管TFT，所述显示区域所包含的TFT的栅电极为导电材料，所述驱动电路所包含的TFT的栅电极为透明导电材料。

本发明实施例提供一种阵列基板制备方法，包括：

在玻璃基板上依次制备缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、电极绝缘层、源漏电极层、栅电极层和绝缘层，其中，所述栅电极层采用物理气相沉积法制备；或者

在玻璃基板上依次制备缓冲层、多晶硅层、栅绝缘层、电极绝缘层、源漏电极层、绝缘层和栅电极层，其中，所述栅电极层采用物理气相沉积法制备。

本发明实施例提供一种液晶面板，包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶，其中，所述阵列基板包括显示区域和设置于所述显示区域周边的驱动电路，所述显示区域和所述驱动电路均包含至少一个薄膜晶体管TFT；所述显示区域所包含的TFT的栅电极为导电材料，所述驱动电路所包含的TFT的栅电极为透明导电材料。

本发明实施例提供一种显示装置，包括上述液晶面板。